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問答題 單相橋式全控整流電路，U₂=100V，負(fù)載中R=2Ω，L值極大，當(dāng)α=30°時(shí)，要求：
①作出U_d、I_d、和I₂的波形；
②求整流輸出平均電壓U_d、電流I_d，變壓器二次電流有效值I₂；
③考慮安全裕量，確定晶閘管的額定電壓和額定電流。

1.問答題 具有變壓器中心抽頭的單相全波可控整流電路，問該變壓器還有直流磁化問題嗎？試說明：
晶閘管承受的最大反向電壓為；
當(dāng)負(fù)載是電阻或電感時(shí)，其輸出電壓和電流的波形與單相全控橋時(shí)相同。

2.問答題單相半波可控整流電路對(duì)電感負(fù)載供電，L=20Mh，U₂=100V，求當(dāng)α=0°時(shí)和60°時(shí)的負(fù)載電流I_d，并畫出U_d與I_d波形。

3.問答題電力電子器件工作時(shí)產(chǎn)生過電壓的原因及防止措施有哪些？

4.問答題為什么要限制晶閘管導(dǎo)通電流上升率di/dt？

5.問答題為什么要限制晶閘管斷電電壓上升律du/dt？

6.問答題什么是晶閘管的額定電流？

7.問答題簡(jiǎn)述IGBT、GTR、GTO和電力MOSFET各自的優(yōu)缺點(diǎn)。

8.問答題全控型器件的緩沖電路的主要作用是什么？試分析RCD緩沖電路中各元件的作用是什么？

9.問答題如何防止電力MOSFET因靜電感應(yīng)應(yīng)起的損壞？

10.問答題GTO和普通晶閘管同為PNPN結(jié)構(gòu)，為什么GTO能夠自關(guān)斷，而普通晶閘管不能？