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A.NEMOSFET
B.NDMOSFET
C.PEMOSFET
D.PDMOSFET
A.該放大器為互導(dǎo)放大器
B.該放大器為互阻放大器
C.理想情況下該放大器輸入電阻極高
D.理想情況下該放大器輸入電阻極低
E.理想情況下該放大器輸出電阻極高
F.理想情況下該放大器輸出電阻極低
已知某N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管的。下表給出了四種狀態(tài)下和的值,那么各狀態(tài)下器件的工作狀態(tài)為()。
A.狀態(tài)1:飽和區(qū);狀態(tài)2:飽和區(qū)
B.狀態(tài)1:截止區(qū);狀態(tài)2:飽和區(qū)
C.狀態(tài)3:變阻區(qū);狀態(tài)4:飽和區(qū)
D.狀態(tài)3:飽和區(qū);狀態(tài)4:變阻區(qū)
A.1,100
B.0.5,50
C.1,50
D.2,100
最新試題
?verilogHDL中已經(jīng)預(yù)先定義了的門(mén)級(jí)原型的符號(hào)有()。
?5.1K±5%歐姆的五環(huán)電阻的色環(huán)序列為()。
?某次電路實(shí)驗(yàn)中,一同學(xué)按如下電路圖連接電路,完成實(shí)驗(yàn)。其中D0,D1端為輸入端,S0與S1為輸出端。在實(shí)驗(yàn)過(guò)程中,該同學(xué)觀測(cè)到輸出端S0,S1端輸出電平分別為邏輯高電平,邏輯低電平。請(qǐng)問(wèn)此刻電路輸入端D0,D1電平可能分別為()。
?CD放大器的性能特征有()。?
?在verilogHDL的數(shù)字表達(dá)方式用,和十進(jìn)制數(shù)127表示的數(shù)字相同的表達(dá)方式有()。
CD放大器具有較()的輸入電阻和較()的輸出電阻。?????
?數(shù)字頻率計(jì)采用4個(gè)數(shù)字的BCD碼計(jì)數(shù)器,若采樣時(shí)間0.01s,那么它能夠測(cè)量的最大頻率是多少?()
MOSFET做放大器,要想正常工作只需用電路提供合理的偏置使其工作在飽和區(qū)即可。???
?verilog語(yǔ)法中,間隔符號(hào)主要包括()。
CD放大器因?yàn)樵礃O輸出信號(hào)幾乎與柵極輸入信號(hào)變化一致,因此被稱(chēng)為“源極跟隨器”。