單項(xiàng)選擇題下列雜質(zhì)對AgCl導(dǎo)電率提升的是()

A.AgBr
B.ZnCl2
C.KCl
D.NaBr


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1.單項(xiàng)選擇題關(guān)于助熔劑法制備無機(jī)材料的說法正確的是()

A.助熔劑比目標(biāo)物質(zhì)的熔點(diǎn)低
B.助熔劑比目標(biāo)物質(zhì)的熔點(diǎn)高
C.助熔劑只能是一種
D.助熔劑法多余,不如直接將目標(biāo)物質(zhì)熔融再結(jié)晶

2.單項(xiàng)選擇題以下哪種方法可代替共沉淀法制備前驅(qū)體?()

A.溶膠-凝膠法
B.水熱法
C.固相合成法
D.電化學(xué)沉積法

5.單項(xiàng)選擇題XRD主要分析材料的什么特征?()

A.晶體結(jié)構(gòu)
B.材料形貌
C.材料組成
D.材料尺寸