多項選擇題關于場效應管小信號模型，下面說法正確的有（）。

A.場效應管小信號模型參數(shù)gm可以通過輸出特性曲線求解
B.場效應管小信號模型參數(shù)gm可以通過轉(zhuǎn)移特性曲線求解
C.場效應管小信號模型參數(shù)gm由靜態(tài)工作點決定
D.場效應管小信號模型中gmvgs是受控電壓源


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你可能感興趣的試題

1.多項選擇題關于圖解分析法，下面說法正確的有（）。

A.圖解分析法，不能用于大信號工作情況
B.圖解分析法，不能用于求某時刻的電壓、電流總值
C.圖解分析法，能用小大信號工作情況
D.圖解分析法，可以用于求靜態(tài)工作點

2.多項選擇題關于估算法與小信號等效電路法，下面說法正確的有（）。

A.估算法，可以用于求靜態(tài)工作點
B.估算法，不能用于大信號工作情況
C.小信號等效電路法，不能用于大信號工作情況
D.小信號等效電路法，不能用于求某時刻的電壓、電流總值

3.多項選擇題

如圖所示，下列說法正確的是（）。

A.這是耗盡型MOSFET的輸出特性曲線，其中A區(qū)為飽和區(qū)，B區(qū)為線性工作區(qū)
B.這是增強型MOSFET的輸出特性曲線，其中C區(qū)為擊穿區(qū)，D區(qū)為截止區(qū)
C.這是增強型MOSFET的輸出特性曲線，其中A區(qū)為可變電阻區(qū)，B區(qū)為飽和區(qū)
D.這是耗盡型MOSFET的輸出特性曲線，其中C區(qū)為截止區(qū)，D區(qū)為擊穿區(qū)

4.多項選擇題關于圖解分析法，下面說法正確的是（）。

A.對于增強型MOS管，在恒流區(qū)滿足伏安特性方程，其中IDO是指vGS=2VT的iD
B.對于耗盡型MOS管，在恒流區(qū)滿足伏安特性方程，其中IDSS是指vGS=2VP的iD
C.圖解分析法是將直流通路分為非線性部分和線性部分，非線性部分的伏安特性曲線是轉(zhuǎn)移特性，線性部分的伏安特性曲線是直流負載線
D.為了求解放大電路的靜態(tài)工作點，畫直流通路，然后可用估算法或者圖解分析法求解

5.單項選擇題

圖解法求解靜態(tài)工作點時，將電路分為兩個部分如圖所示（）。

A.電路部分A是非線性電路，該電路的伏安特性曲線是直流負載線方程；電路部分B是非線性電路，該電路的伏安特性曲線是輸出特性曲線
B.電路部分A是線性電路，該電路的伏安特性是直流負載線方程；電路部分B是線性電路，該電路的伏安特性是輸出特性曲線
C.電路部分A是線性電路，該電路的伏安特性曲線是輸出特性曲線；電路部分B是非線性電路，該電路的伏安特性是直流負載線方程
D.電路部分A是非線性電路，該電路的伏安特性曲線是輸出特性曲線；電路部分B是線性電路，該電路的伏安特性是直流負載線方程