單項(xiàng)選擇題KonicaCR系統(tǒng)照射量1mR時(shí)對(duì)應(yīng)的S值為200,2mR時(shí)對(duì)應(yīng)的S值是()。
A.400
B.200
C.100
D.50
E.10
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1.單項(xiàng)選擇題多絲正比電離室探測(cè)器是()。
A.直接探測(cè)器
B.間接探測(cè)器
C.模擬探測(cè)器
D.平板探測(cè)器
E.動(dòng)態(tài)探測(cè)器
2.單項(xiàng)選擇題非晶硒FPD的優(yōu)點(diǎn)不包括()。
A.成像環(huán)節(jié)少
B.吸收率高
C.靈敏度高
D.量子檢出效率高
E.無(wú)電離輻射
3.單項(xiàng)選擇題CR中光激勵(lì)發(fā)光的波長(zhǎng)為()。
A.100~200nm
B.390~490nm
C.290~390nm
D.200~300nm
E.190~290nm
4.單項(xiàng)選擇題要想將使用過(guò)的IP再次使用,必須()。
A.使用高能射線照射
B.使用電流消除殘存電荷
C.使用顯影液、定影液重寫(xiě)
D.使用清水沖洗
E.使用強(qiáng)光照射消除數(shù)據(jù)
5.單項(xiàng)選擇題光激勵(lì)熒光體中,常摻人()以改變熒光體的結(jié)構(gòu)和物理特性。
A.Al2+
B.Eu2+
C.Cu2+
D.TI2+
E.Se2+
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下列哪些情況需要采用全腦全脊髓照射技術(shù)().
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