A.化合物中不同質(zhì)子的種類數(shù)
B.同種類H的數(shù)目
C.相鄰碳上質(zhì)子的數(shù)目
D.化合物中雙鍵的個數(shù)及位置
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A.屏蔽效應(yīng)較弱,相對化學(xué)位移較大,共振峰出現(xiàn)在高場
B.屏蔽效應(yīng)較強,相對化學(xué)位移較小,共振峰出現(xiàn)在高場
C.屏蔽效應(yīng)較強,相對化學(xué)位移較大,共振峰出現(xiàn)在低場
D.屏蔽效應(yīng)較強,相對化學(xué)位移較大,共振峰出現(xiàn)在高場
A.掃頻下的高頻,掃場下的高場,化學(xué)位移δ值較小
B.掃頻下的高頻,掃場下的低場,化學(xué)位移δ值較大
C、掃頻下的低頻,掃場下的高場,化學(xué)位移δ值較大
D、掃頻下的低頻,掃場下的高場,化學(xué)位移δ值較小
A.化學(xué)位移
B.偶合常數(shù)
C.偶合裂分數(shù)
A.質(zhì)荷比
B.波數(shù)
C.偶合常數(shù)
D.保留值
A.I=1/2
B.I=0
C.I=1
D.I>1
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紅外吸收法分析碳和硫時,可以用同一個紅外池來檢測。
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ICP光譜干擾包括()。
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