A、質(zhì)荷比最高的正離子
B、質(zhì)荷比最低的正離子
C、質(zhì)量最大的正離子
D、質(zhì)量最小的正離子
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A、質(zhì)荷比最高的正離子
B、質(zhì)荷比最低的正離子
C、質(zhì)量最大的正離子
D、質(zhì)量最小的正離子
A.質(zhì)量數(shù)最大的峰為分子離子峰
B.強(qiáng)度最大的峰為分子離子峰
C.質(zhì)量數(shù)第二大的峰為分子離子峰
D.降低電離室的轟擊能量,強(qiáng)度增加的峰為分子離子峰
A.質(zhì)荷比最高的正離子
B.質(zhì)荷比最低的正離子
C.質(zhì)量最大的正離子
D.質(zhì)量最小的正離子
A.氧的同位素
B.氯的同位素
C.溴的同位素
D.硫的同位素
A、98.9:1.1
B、98.9:0.02
C、3:1
D、1:1
最新試題
管式爐紅外線(xiàn)吸收法測(cè)定煤中硫含量,根據(jù)朗伯-比爾定律即可求出煤樣中的硫含量。
脈沖加熱熔融熱導(dǎo)法測(cè)定鋼鐵中氫含量,分析前應(yīng)用有證標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)進(jìn)行檢查和校準(zhǔn)儀器,所用實(shí)物標(biāo)準(zhǔn)的氫含量應(yīng)略大于被分析試樣的含氫量。
ICP中等離子體環(huán)狀結(jié)構(gòu)形成的原因是()。
LZ50中氧氮含量的測(cè)定,分析儀器需要配備外循環(huán)冷卻水器或自來(lái)水源。
ICP-AES方法與ICP-MS相比具有的缺點(diǎn)是()。
原子熒光光譜法制作工作曲線(xiàn)時(shí),相關(guān)系數(shù)應(yīng)至少達(dá)到()。
X射線(xiàn)熒光光譜分析中,分光晶體對(duì)溫度的變化比較敏感,一般要求晶體室溫度變化在()度內(nèi)。
ICP光譜干擾包括()。
電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜儀包括()。
原子吸收光譜儀在使用氧化亞氮火焰時(shí),儀器應(yīng)具備防回火功能。