單項(xiàng)選擇題TDRU342E每通道的輸出功率為()。
A.20W
B.30W
C.40W
D.50W
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1.單項(xiàng)選擇題EMB5116 TD-LTE基站的高度為()。
A.1U
B.2U
C.3U
D.4U
2.單項(xiàng)選擇題標(biāo)準(zhǔn)配置3小區(qū),最大可支持連接態(tài)用戶數(shù)()。
A.300
B.900
C.1200
D.3600
3.單項(xiàng)選擇題標(biāo)準(zhǔn)配置3小區(qū),最大可支持激活態(tài)用戶數(shù)()。
A.300
B.900
C.1200
D.3600
4.單項(xiàng)選擇題EMB5116 TD-LTE最多可以支持多少塊BPOG()。
A.3
B.4
C.5
D.6
5.單項(xiàng)選擇題實(shí)現(xiàn)EMB5116 TD-LTE的業(yè)務(wù)和信令交換功能的板卡是()。
A.BPOE
B.EMx
C.SCTE
D.BPOG
最新試題
每個異頻的鄰區(qū)均可以通過自身優(yōu)先級的設(shè)置來控制重選。()
題型:判斷題
基站的噪聲系數(shù)一般為5dB,而終端一般為9dB。()
題型:判斷題
TD-LTE系統(tǒng)EPC中,負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)承載并提供接入錨點(diǎn)的網(wǎng)元是()。
題型:填空題
在進(jìn)行更換或互換單板時,一定要在()或()進(jìn)行,盡量減少對正常業(yè)務(wù)的影響。
題型:填空題
切換過程可以采用競爭接入過程也可以采用非競爭接入過程。()
題型:判斷題
TD-LTE系統(tǒng)中,進(jìn)行E-RAB建立時發(fā)起的RRC連接過程是()過程。
題型:填空題
eNB可存放多個備用版本。()
題型:判斷題
切換過程可以采用競爭接入過程也可以采用()接入過程。
題型:填空題
PHICH的配置信息在PBCH信道中承載。()
題型:判斷題
TD-LTE系統(tǒng)中,切換判決由()執(zhí)行。
題型:填空題