A.OFDM符號(hào)
B.無(wú)線幀
C.天線端口
D.子載波
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A.無(wú)線幀
B.子幀
C.半幀
D.時(shí)隙
A.單站優(yōu)化、邊界優(yōu)化、簇/片區(qū)優(yōu)化、全網(wǎng)優(yōu)化;
B.單站優(yōu)化、簇/片區(qū)優(yōu)化、邊界優(yōu)化、全網(wǎng)優(yōu)化;
C.簇/片區(qū)優(yōu)化、單站優(yōu)化、邊界優(yōu)化、全網(wǎng)優(yōu)化;
D.簇/片區(qū)優(yōu)化、邊界優(yōu)化、單站優(yōu)化、全網(wǎng)優(yōu)化。
A.基礎(chǔ)網(wǎng)絡(luò)優(yōu)化、專題優(yōu)化、特殊場(chǎng)景優(yōu)化;
B.基礎(chǔ)網(wǎng)絡(luò)優(yōu)化、特殊場(chǎng)景優(yōu)化、專題優(yōu)化;
C.專題優(yōu)化、基礎(chǔ)網(wǎng)絡(luò)優(yōu)化、特殊場(chǎng)景優(yōu)化;
D.專題優(yōu)化、特殊場(chǎng)景優(yōu)化、基礎(chǔ)網(wǎng)絡(luò)優(yōu)化。
A.都有系統(tǒng)外干擾;
B.TD-LTE主要考慮小區(qū)間干擾;
C.TD-LTE主要考慮小區(qū)內(nèi)干擾;
D.TD-LTE與TD-SCDMA在異頻也需考慮交叉時(shí)隙干擾。
A.覆蓋和質(zhì)量評(píng)估參數(shù)不同;
B.TD-LTE需考慮天線模式對(duì)覆蓋影響;
C.TD-SCDMA中可以通過設(shè)置黑名單來(lái)進(jìn)行鄰區(qū)的優(yōu)化;
D.TD-LTE鄰區(qū)設(shè)置需要考慮優(yōu)先級(jí)。
最新試題
eNB版本升級(jí)包括以下幾個(gè)環(huán)節(jié):()、版本下載、()、版本核查(可選)、業(yè)務(wù)驗(yàn)證。
由性能閾值產(chǎn)生的告警為()告警。
切換過程可以采用競(jìng)爭(zhēng)接入過程也可以采用()接入過程。
TD-LTE系統(tǒng)中,UE為了完成在網(wǎng)絡(luò)中的注冊(cè),需要進(jìn)行()過程。
TD-LTE系統(tǒng)中,MAC層實(shí)現(xiàn)邏輯信道到()信道的映射。
TD-LTE先對(duì)于TD-SCDMA系統(tǒng)的小區(qū)重選區(qū)別在于引入了()。
PCI由()和()共同決定,共有()個(gè)。
在算干擾余量時(shí)不用考慮系統(tǒng)負(fù)載。()
在進(jìn)行更換或互換單板時(shí),一定要在()或()進(jìn)行,盡量減少對(duì)正常業(yè)務(wù)的影響。
TD-LTE網(wǎng)絡(luò)容量規(guī)劃必須通過()獲得。