單項(xiàng)選擇題TD-LTE系統(tǒng)UE進(jìn)行小區(qū)選擇時(shí)需要進(jìn)行的測(cè)量有()。
A.RSSI
B.SINR
C.C/I
D.RSRP
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1.單項(xiàng)選擇題TD-LTE系統(tǒng)PBCH占用的子載波數(shù)是()。
A.60
B.72
C.84
D.120
2.單項(xiàng)選擇題TD-LTE系統(tǒng)消息承載小區(qū)預(yù)留IE的是()。
A.SIB1
B.SIB2
C.SIB3
D.SIB10
3.單項(xiàng)選擇題TD-LTE系統(tǒng)消息承載小區(qū)禁止IE的是()。
A.SIB1
B.SIB2
C.SIB3
D.SIB10
4.單項(xiàng)選擇題TD-LTE系統(tǒng)承載SIB1消息的信道是()。
A.PBCH
B.PDSCH
C.PDCCH
D.PCCPCH
5.單項(xiàng)選擇題TD-LTE系統(tǒng)承載DCI指示信息的物理信道是()。
A.PDCCH
B.PUCCH
C.PUSCH
D.PDSCH
最新試題
每個(gè)異頻的鄰區(qū)均可以通過(guò)自身優(yōu)先級(jí)的設(shè)置來(lái)控制重選。()
題型:判斷題
切換過(guò)程可以采用競(jìng)爭(zhēng)接入過(guò)程也可以采用()接入過(guò)程。
題型:填空題
PHICH的配置信息在()承載。
題型:填空題
由性能閾值產(chǎn)生的告警為()告警。
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TD-LTE系統(tǒng)中,eNodeB和MME之間的業(yè)務(wù)承載是()。
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TD-LTE先對(duì)于TD-SCDMA系統(tǒng)的小區(qū)重選區(qū)別在于引入了()。
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基站的噪聲系數(shù)一般為()dB,而終端一般為()dB。
題型:填空題
eNB可存放多個(gè)備用版本。()
題型:判斷題
TD-LTE系統(tǒng)中,進(jìn)行E-RAB建立時(shí)發(fā)起的RRC連接過(guò)程是()過(guò)程。
題型:填空題
PCI由()和()共同決定,共有()個(gè)。
題型:填空題