單項選擇題接力器的運動速度能在一定范圍內(nèi)調(diào)整的目的是為了滿足（）的要求。

A.調(diào)保計算；
B.增減負荷；
C.無差調(diào)節(jié)；
D.以上都不正確。


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2.單項選擇題并網(wǎng)機組所帶負荷減少時，靜特性曲線（）。

A.向左平移；
B.向右平移；
C.向下平移；
D.向上平移。

3.單項選擇題若可控硅側(cè)故障，可用鉗形電流表測量電流判斷，現(xiàn)b相故障，應測為（）。

A.Ia小，Ib大，Ic??；
B.Ia小，Ib小，Ic大；
C.Ia大，Ib小，Ic??；
D.Ia大，Ib大，Ic小。

4.單項選擇題全控整流橋的可控硅觸發(fā)脈沖一般采用（）方式。

A.單窄脈沖；
B.雙窄脈沖；
C.單寬脈沖；
D.雙寬脈沖。

6.單項選擇題國標規(guī)定：對大型調(diào)速器，空載頻率擺度≤（）。

A.+/-0.2%；
B.+/-0.3%；
C.+/-0.15%；
D.+/-0.25%。

7.單項選擇題存儲器27C256芯片的容量是（）。

A.27K³8；
B.32K³8；
C.27K；
D.256K。

8.單項選擇題系統(tǒng)參數(shù)設(shè)置作用是（）。

A.改變操作系統(tǒng)；
B.清除病毒；
C.修改機器配置；
D.增加外部設(shè)備。

9.單項選擇題TV低壓側(cè)一相電壓為零，兩相不變，線電壓兩個降低，一個不變，說明（）。

A.高壓側(cè)一相熔斷器熔斷；
B.高壓側(cè)兩相熔斷器熔斷；
C.低壓側(cè)兩相熔斷器熔斷；
D.低壓側(cè)一相熔斷器熔斷。

10.單項選擇題三相全控晶閘管整流輸出電壓的脈動頻率為（）。

A.50Hz；
B.100Hz；
C.150Hz；
D.300Hz。