A、1/2波長(zhǎng)的整數(shù)倍時(shí)
B、1/2波長(zhǎng)的奇數(shù)倍時(shí)
C、1/4波長(zhǎng)的奇數(shù)倍時(shí)
D、1/4波長(zhǎng)的整數(shù)倍時(shí)
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、底波被較大的面積性缺陷反射
B、底波被較小的單個(gè)球狀缺陷反射
C、底波的能量被轉(zhuǎn)換為電能而吸收
D、以上都可能
A、3200和3200
B、3200和5900
C、5900和5900
D、以上都不對(duì)
A、特性
B、形狀
C、方向
D、以上都不對(duì)
A、橫向和縱向兩種振動(dòng)的合成
B、直線(xiàn)振動(dòng)
C、斜振動(dòng)
D、S振動(dòng)
最新試題
渦流檢測(cè)線(xiàn)圈的自感式線(xiàn)圈由()構(gòu)成。
對(duì)于接觸法只須將能使缺陷落在其遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)內(nèi)的縱波直探頭在試件表面移動(dòng),即可獲得缺陷的()所在的位置,從而定出缺陷的平面位置。
缺陷檢測(cè)即通常所說(shuō)的渦流探傷主要影響因素包括()、電導(dǎo)率、磁導(dǎo)率、邊條效應(yīng)、提離效應(yīng)等。
根據(jù)檢測(cè)對(duì)象和目的的不同,渦流檢測(cè)儀器一般可分為()、渦流電導(dǎo)儀和渦流測(cè)厚儀三種。
渦流檢測(cè)輔助裝置的試樣傳動(dòng)裝置用于形狀規(guī)則產(chǎn)品的()
渦流檢測(cè)中的對(duì)比試樣的()和材質(zhì)相對(duì)被檢測(cè)產(chǎn)品必須具有代表性。
()件對(duì)不同類(lèi)型的檢測(cè)對(duì)象和要求,采用的方式各有不同。
掃描儀器的掃查的間距通常根據(jù)探頭的最小聲束(),保證兩次掃查之間有一定比例的覆蓋。
對(duì)于圓盤(pán)形試件,常沿()在圓面上進(jìn)行掃查。
直接射向缺陷的波就是()