A、采用當(dāng)量試塊比較法測(cè)定的結(jié)果
B、對(duì)大于聲束的缺陷，采用底波對(duì)比而測(cè)得的結(jié)果
C、根據(jù)缺陷反射波高和探頭移動(dòng)的距離而測(cè)得的結(jié)果
D、缺陷定量法之一，和AVG曲線的原理相同
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A、窄脈沖
B、衰減
C、波型轉(zhuǎn)換
D、粗晶
A、底面反射
B、表面反射
C、缺陷反射
D、雜波
A、結(jié)構(gòu)反射和變型波
B、板材底面回波
C、三角反射
D、以上全部
A、側(cè)壁干擾
B、61°角反射波
C、工件底面不平
D、以上都對(duì)
A、應(yīng)使用直探頭
B、要使用大晶片探頭
C、壓電元件應(yīng)在其基頻上激發(fā)
D、探頭的頻帶應(yīng)盡可能寬
最新試題
無(wú)損探傷檢測(cè)采用的黑光燈和濾光片的作用是使其輻射波長(zhǎng)范圍為（）mm，峰值波長(zhǎng)為365mm。
隨著渦流檢側(cè)儀器制造技術(shù)的發(fā)展，出現(xiàn)了多種型號(hào)的同時(shí)具備探傷、電導(dǎo)率測(cè)量（）測(cè)量功能的通用型儀器。
渦流檢測(cè)輔助裝置的試樣傳動(dòng)裝置在（）材生產(chǎn)線上的應(yīng)用最為廣泛。
（）件對(duì)不同類型的檢測(cè)對(duì)象和要求，采用的方式各有不同。
渦流檢測(cè)線圈是在被檢測(cè)導(dǎo)電材料或零件表面及近表面激勵(lì)產(chǎn)生（）
缺陷檢測(cè)即通常所說(shuō)的渦流探傷主要影響因素包括（）、電導(dǎo)率、磁導(dǎo)率、邊條效應(yīng)、提離效應(yīng)等。
渦流檢測(cè)儀的阻抗幅值型儀器在顯示終端僅給出（）的相關(guān)信息。
渦流檢測(cè)線圈感應(yīng)和接收材料或零件中感生渦流的再生磁場(chǎng)的傳感器，它是構(gòu)成（）系統(tǒng)的重要組成部分，對(duì)于檢測(cè)結(jié)果的好壞起著重要的作用。
磁性測(cè)厚技術(shù)包括機(jī)械式和（）兩種測(cè)量方法。
對(duì)于圓盤形試件，常沿（）在圓面上進(jìn)行掃查。