A、前散射
B、背散射
C、側(cè)面散射
D、以上都不是
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A、左移
B、右移
C、上移
D、下移
A、光電效應(yīng)
B、康普頓效應(yīng)
C、電子對(duì)生成效應(yīng)
D、電離效應(yīng)
A、射線源種類或管電壓有關(guān)
B、被檢材料種類和密度
C、X光管陽(yáng)極靶原子序數(shù)有關(guān)
D、被檢材料的原子序數(shù)
A、光電效應(yīng)
B、康普頓效應(yīng)
C、湯姆遜效應(yīng)
D、電子對(duì)生成效應(yīng)
A、hvεj
B、hv.εj
C、hv》εj
D、hv.1.02Mev
最新試題
渦流檢測(cè)中的對(duì)比試樣的()和材質(zhì)相對(duì)被檢測(cè)產(chǎn)品必須具有代表性。
特性是指實(shí)體所特有的性質(zhì),它反映子實(shí)體滿足需要的()
對(duì)檢測(cè)儀的時(shí)間基線進(jìn)行校正后,缺陷的埋藏深度可從熒光屏的()上讀出。
渦流探傷中平底盲孔缺陷對(duì)于管壁的()具有較好的代表性,因此在在役管材的渦流檢測(cè)中較多采用。
在聲束垂直試件表面時(shí),所獲得的()反射波高可能并不是可獲得的最大反射波高。
()件對(duì)不同類型的檢測(cè)對(duì)象和要求,采用的方式各有不同。
渦流檢測(cè)輔助裝置的試樣傳動(dòng)裝置在()材生產(chǎn)線上的應(yīng)用最為廣泛。
缺陷愈大,所遮擋的聲束也愈多,底波波高也就愈低,這就有可能用缺陷波高與底波波高之比來(lái)表示缺陷的()
各類渦流檢測(cè)儀器的工作原理和()是相同的。
各類渦流檢測(cè)儀器的()和結(jié)構(gòu)各不相同。