單項選擇題放射性同位素源的半衰期取決于（）。
A、源的強度
B、源的尺寸
C、源的使用時間
D、源的種類
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1.單項選擇題（）指的是同位素。
A、質量數(shù)相同，中子數(shù)不同的元素
B、質量數(shù)不同，中子數(shù)相同的元素
C、質子數(shù)相同，中子數(shù)不同的元素
D、中子數(shù)相同，質子數(shù)不同的元素
2.單項選擇題放射性同位素鈷60是將其穩(wěn)定的同位素鈷59至于核反應堆中俘獲（）而發(fā)生核反應制成的。
A、電子
B、中子
C、質子
D、原子
3.單項選擇題以相同條件透照某工件，若焦距縮短20%，要達到同樣的黑度的底片，曝光時間可以減少（）。
A、64%
B、36%
C、20%
D、80%
4.單項選擇題溴化鉀是（）的一種。
A、抑制劑
B、顯影劑
C、加速劑
D、保護劑
5.單項選擇題顯影液中的抑制劑通常用（）。
A、亞硫酸鈉
B、溴化鉀
C、菲尼酮
D、碳酸鈉
最新試題
鑄件超聲檢測的特點是常采用低頻聲被以減輕衰減和散射，相應的可檢缺陷尺寸（）
題型：單項選擇題
波束截面中心聲能（），隨著與中心的距離的增大，聲能（）
題型：單項選擇題
隨著渦流檢側儀器制造技術的發(fā)展，出現(xiàn)了多種型號的同時具備探傷、電導率測量（）測量功能的通用型儀器。
題型：單項選擇題
在遠場區(qū)，當缺陷比聲束截面小時，缺陷波高與缺陷面積成（）
題型：單項選擇題
渦流檢測線圈的自感式線圈由（）構成。
題型：單項選擇題
缺陷愈大，所遮擋的聲束也愈多，底波波高也就愈低，這就有可能用缺陷波高與底波波高之比來表示缺陷的（）
題型：單項選擇題
缺陷檢測即通常所說的渦流探傷主要影響因素包括（）、電導率、磁導率、邊條效應、提離效應等。
題型：單項選擇題
渦流檢測中的對比試樣的（）和材質相對被檢測產品必須具有代表性。
題型：單項選擇題
特性是指實體所特有的性質，它反映子實體滿足需要的（）
題型：單項選擇題
當波束不再與缺陷相遇，則回波（）
題型：單項選擇題