A、靈敏度
B、曝光量
C、黑度
D、對(duì)比度
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A、底片黑度
B、曝光量
C、曝光量的對(duì)數(shù)
D、底片黑度的對(duì)數(shù)
A、60Co
B、220kVpX射線
C、15MeVX射線
D、192Ir
A、相同
B、弱
C、強(qiáng)
D、以上都可能
A、管電流
B、管電壓
C、曝光時(shí)間
D、焦距
A、管電流
B、管電壓
C、曝光時(shí)間
D、焦距
最新試題
渦流檢測(cè)線圈的自感式線圈由()構(gòu)成。
()件對(duì)不同類型的檢測(cè)對(duì)象和要求,采用的方式各有不同。
渦流檢測(cè)線圈的互感線圈一般由()構(gòu)成。
渦流檢測(cè)儀的阻抗幅值型儀器在顯示終端僅給出()的相關(guān)信息。
掃描儀器的掃查的間距通常根據(jù)探頭的最小聲束(),保證兩次掃查之間有一定比例的覆蓋。
渦流檢測(cè)輔助裝置的試樣傳動(dòng)裝置在()材生產(chǎn)線上的應(yīng)用最為廣泛。
渦流檢測(cè)輔助裝置的試樣傳動(dòng)裝置用于形狀規(guī)則產(chǎn)品的()
渦流檢測(cè)線圈是在被檢測(cè)導(dǎo)電材料或零件表面及近表面激勵(lì)產(chǎn)生()
對(duì)于接觸法只須將能使缺陷落在其遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)內(nèi)的縱波直探頭在試件表面移動(dòng),即可獲得缺陷的()所在的位置,從而定出缺陷的平面位置。
缺陷檢測(cè)即通常所說(shuō)的渦流探傷主要影響因素包括()、電導(dǎo)率、磁導(dǎo)率、邊條效應(yīng)、提離效應(yīng)等。