A、最快的速度
B、較長(zhǎng)的曝光時(shí)間
C、低的黑度
D、最好的清晰度
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A、防止電極氧化
B、防止氣體電離
C、提高電極間的絕緣能力
D、以上都是
A、粗線端
B、細(xì)線端
C、中部
D、可隨意放
A、放置一只
B、在180°象限內(nèi)各放1只
C、至少均勻放3只
D、根據(jù)黑度要求而定
A、俘獲燈絲發(fā)射的雜散電子
B、限制燈絲電流的最大安培值;
C、減少靶散射的二次電子在玻璃管壁上產(chǎn)生的負(fù)電荷
D、與負(fù)電位相接
A、倍壓電路
B、半波自整流電路
C、全波整流電路
D、以上都不是
最新試題
當(dāng)波束不再與缺陷相遇,則回波()
采用以()為橫坐標(biāo),以平底孔直徑標(biāo)注各當(dāng)量曲線作成實(shí)用AVG曲線。
當(dāng)波束中心線與缺陷面()且回波最()時(shí),移動(dòng)探頭使波束中心(),回波高度當(dāng)隨之下降。
渦流檢測(cè)線圈的互感線圈一般由()構(gòu)成。
掃描儀器的掃查的間距通常根據(jù)探頭的最小聲束(),保證兩次掃查之間有一定比例的覆蓋。
掃查方式一般視試件的()而定。
用于測(cè)量黑光強(qiáng)度的現(xiàn)代黑光輻射照度計(jì),其探頭(傳感器)的光敏組件的前面有(),只適用于測(cè)量黑光。
在遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū),當(dāng)缺陷比聲束截面小時(shí),缺陷波高與缺陷面積成()
對(duì)于圓盤形試件,常沿()在圓面上進(jìn)行掃查。
當(dāng)缺陷面積大于聲束截面時(shí),如果聲束軸線移到缺陷邊緣,缺陷波高約為聲束軸線在缺陷中部時(shí)波高的()