當(dāng)缺陷面積大于聲束截面時(shí)，如果聲束軸線移到缺陷邊緣，缺陷波高約為聲束軸線在缺陷中部時(shí)波高的（）

掃描儀器的掃查的間距通常根據(jù)探頭的最小聲束（），保證兩次掃查之間有一定比例的覆蓋。

波束截面中心聲能（），隨著與中心的距離的增大，聲能（）

缺陷檢測(cè)即通常所說(shuō)的渦流探傷主要影響因素包括（）、電導(dǎo)率、磁導(dǎo)率、邊條效應(yīng)、提離效應(yīng)等。

掃查方式一般視試件的（）而定。

渦流檢測(cè)儀的阻抗幅值型儀器在顯示終端僅給出（）的相關(guān)信息。

對(duì)檢測(cè)儀的時(shí)間基線進(jìn)行校正后，缺陷的埋藏深度可從熒光屏的（）上讀出。

渦流檢測(cè)線圈是在被檢測(cè)導(dǎo)電材料或零件表面及近表面激勵(lì)產(chǎn)生（）

各類(lèi)渦流檢測(cè)儀器的（）和結(jié)構(gòu)各不相同。

渦流探傷中平底盲孔缺陷對(duì)于管壁的（）具有較好的代表性，因此在在役管材的渦流檢測(cè)中較多采用。