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已知：x=+126，y=-120，設(shè)機(jī)器字長(zhǎng)為8bit。
為了減少磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的存取時(shí)間，可以采取的措施有（）
I、提高磁盤(pán)機(jī)主軸轉(zhuǎn)速
II、提高I/O總線速度
III、設(shè)置磁盤(pán)Cache
IV、改善訪問(wèn)方式，兼用順序訪問(wèn)和隨機(jī)訪問(wèn)兩種方式
A.I、II和III
B.I、III
C.III和IV
D.I、II、III和IV
A.指令執(zhí)行速度快，指令功能的修改和擴(kuò)展容易
B.指令執(zhí)行速度慢，且指令功能的修改和擴(kuò)展較難
C.指令執(zhí)行速度慢，但指令功能的修改和擴(kuò)展較容易
D.指令執(zhí)行速度快，指令功能的修改和擴(kuò)展較難
最新試題
從6管的SRAM記憶單元到單管的DRAM記憶單元，有利于提高（）。
若I/O類指令采用獨(dú)立編址，對(duì)系統(tǒng)帶來(lái)的影響主要是（）。
已知定點(diǎn)小數(shù)的真值X=-0.1001，寫(xiě)出[X]反，正確結(jié)果為（）。
存儲(chǔ)在能永久保存信息的器件中的程序被稱為（）。
動(dòng)態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極（）來(lái)存儲(chǔ)信息的。
存儲(chǔ)器堆棧需要設(shè)置一個(gè)專門的硬件寄存器，稱為（），而寄存器堆棧則沒(méi)有。
RAM記憶單元從6管變到4管，在保持狀態(tài)時(shí)沒(méi)有外加電源供電，使得RAM成為了（）。
柵極電平只能維持一段時(shí)間，若要維持所保存的信息，需要對(duì)C1、C2電容充電，此過(guò)程被稱為“刷新（refresh）”。刷新過(guò)程也就是讀出過(guò)程，但只為完成充電而并不需要讀出信息，定期執(zhí)行一次（）。
將十進(jìn)制數(shù)（-0.288）10轉(zhuǎn)化成二進(jìn)制數(shù)，要求小數(shù)點(diǎn)后保留7位數(shù)值位，正確結(jié)果為（）。
從給定的選項(xiàng)中選擇你認(rèn)為正確的一項(xiàng)。A.微指令地址B.控制存儲(chǔ)器C.微指令寄存器D.微程序控制器E.硬連線控制器F.簡(jiǎn)單G.復(fù)雜（1）微程序控制器是通過(guò)（）的銜接區(qū)分指令執(zhí)行步驟的。（2）微程序控制器的控制信號(hào)被讀出后，還需經(jīng)過(guò)一個(gè)（）送到被控制部件。（3）相對(duì)硬連線控制器，微程序控制器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)（）。（4）為了獲得快一些的運(yùn)行速度，控制器部件應(yīng)選擇（）。（5）（）是微程序控制器的核心部件。