單項(xiàng)選擇題下列屬于制作非晶硅太陽電池常用的方法的是()。

A.三氯氫硅還原法
B.輝光放電法
C.硅烷熱分解法
D.四氯化硅還原法


您可能感興趣的試卷

你可能感興趣的試題

1.單項(xiàng)選擇題制作太陽電池的工藝中不包括下列哪個(gè)方面()。

A.硅片表面準(zhǔn)備
B.制備防透膜
C.去背結(jié)
D.制結(jié)

2.單項(xiàng)選擇題下列不是硅片主要切片方法的是()。

A.外圓切割
B.內(nèi)圓切割
C.多線切割
D.單線切割

3.單項(xiàng)選擇題下面是直拉法生產(chǎn)單晶硅工藝流程圖正確順序的是()。

A.種晶—放肩—等徑—引晶
B.引晶—放肩—等徑—種晶
C.種晶—引晶—放肩—等徑
D.引晶—種晶—放肩—等徑

4.單項(xiàng)選擇題以下省份中,年平均日照射強(qiáng)度最高省份是()。

A.寧夏
B.河南
C.江蘇
D.海南

5.單項(xiàng)選擇題下面哪一項(xiàng)不屬于SiHCl3的提純的方法是()。

A.橫拉法
B.固體吸附法
C.精餾法
D.絡(luò)合物形成法

6.單項(xiàng)選擇題層壓組件時(shí)一般需要的時(shí)間為()。

A.8分鐘
B.15分鐘
C.30分鐘
D.60分鐘

9.單項(xiàng)選擇題SiHCl3還原法制備晶體硅,在生產(chǎn)過程中不需要控制()。

A.反應(yīng)溫度在280℃~300℃之間
B.硅粉與HCl在進(jìn)入反應(yīng)爐前要充分干燥
C.晶體生長速度
D.合成時(shí)加入少量的催化劑,可降低溫度

10.單項(xiàng)選擇題下面不是制造非晶硅太陽電池常用的方法是()。

A.輝光放電法
B.反應(yīng)濺射法
C.化學(xué)氣相沉積法
D.電鍍法

最新試題

二進(jìn)制計(jì)數(shù)器具有分頻的作用,分頻的規(guī)律表現(xiàn)為:3位二進(jìn)制計(jì)數(shù)器實(shí)現(xiàn)()分頻。

題型:單項(xiàng)選擇題

電壓比較器的功能是,將一個(gè)模擬量輸入電壓,與一個(gè)參考電壓VR進(jìn)行比較,并將比較的結(jié)果輸出,它廣泛應(yīng)用于()等方面。

題型:多項(xiàng)選擇題

全加器的輸入信號(hào)是()

題型:多項(xiàng)選擇題

如果用預(yù)置數(shù)法實(shí)現(xiàn)3秒倒計(jì)時(shí),74LS192預(yù)置數(shù)端輸入應(yīng)該是()

題型:單項(xiàng)選擇題

清零端與脈沖信號(hào)的狀態(tài)無關(guān),所以叫做同步清零。

題型:判斷題

3進(jìn)制的加法計(jì)數(shù)器,需要()塊JK觸發(fā)器。

題型:單項(xiàng)選擇題

反相比例運(yùn)算,放大倍數(shù)為5,輸入0.2v,輸出為()v。

題型:單項(xiàng)選擇題

3位二進(jìn)制加法計(jì)數(shù)器的,計(jì)數(shù)長度為()

題型:單項(xiàng)選擇題

所謂異步時(shí)序邏輯電路,是指電路中所有的觸發(fā)器,具有同一個(gè)時(shí)鐘脈沖CP的作用,因此各觸發(fā)器的狀態(tài)也不可能處于同一時(shí)刻改變。

題型:判斷題

反相比例運(yùn)算電路,平衡電阻的求法:令ui=0,則uo=0,此時(shí)反相端對(duì)地總電阻值,即為所求平衡電阻值。

題型:判斷題