單項選擇題晶體硅太陽電池的厚度一般為（）μm左右。
A.100
B.200
C.300
D.400
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1.單項選擇題硅材料的純度越高，所制作的太陽能電池的轉換效率也就越高，太陽能級的多晶硅的純度要達到（）個9以上。
A.3
B.6
C.9
D.12
2.單項選擇題發(fā)展現(xiàn)代商業(yè)化的薄膜太陽能電池主要原因是為了（）。
A.提高發(fā)電效率
B.節(jié)約材料，降低成本
C.簡化工藝
D.降低能耗
3.單項選擇題通過控制多晶硅電池表面氮化硅的厚度可以使電池表面呈現(xiàn)不同的色彩，其中厚度為210nm的顯示的顏色為（）。
A.綠色
B.藍色
C.黃色
D.紅色
4.單項選擇題非晶硅薄膜太陽能電池中的TCO是透明導電膜的簡稱，制作時將其做成絨面的目的是（）。
A.增加光的反射
B.減少光的透射
C.美觀
D.減少光的反射
5.單項選擇題半導體硅材料制備中產生的硅烷在常溫下是一種氣體，其分子式為（）。
A.SiH2
B.SiH
C.SiH3
D.SiH4
6.單項選擇題將硅錠切割成硅片的過程中，多線切割對硅片造成的損傷層的厚度約為（）μm。
A.10
B.20
C.5
D.15
7.單項選擇題光伏電池組件電學特性測試中不必用到的設備是（）。
A.氣壓表
B.電流表
C.電壓表
D.滑動變阻器
8.單項選擇題測量太陽電池的電學性能可以歸結為測量它的（）。
A.光譜響應
B.光學特性
C.伏安特性
9.單項選擇題下列屬于制作非晶硅太陽電池常用的方法的是（）。
A.三氯氫硅還原法
B.輝光放電法
C.硅烷熱分解法
D.四氯化硅還原法
10.單項選擇題制作太陽電池的工藝中不包括下列哪個方面（）。
A.硅片表面準備
B.制備防透膜
C.去背結
D.制結
最新試題
下面哪個集成元件為四位二進制超前進位全加器（）
題型：單項選擇題
全加器的輸出信號是（）
題型：多項選擇題
集成運放應用范圍現(xiàn)已遠遠超出了數(shù)學運算，涉及到了（）測量和自動控制等方面
題型：多項選擇題
放大電路靜態(tài)工作點設置不妥當，會產生飽和失真或截止失真。
題型：判斷題
并聯(lián)型穩(wěn)壓電路中，硅穩(wěn)壓二極管應和負載（）
題型：單項選擇題
如果用預置數(shù)法實現(xiàn)3秒倒計時，74LS192預置數(shù)端輸入應該是（）
題型：單項選擇題
二進制計數(shù)器具有分頻的作用，分頻的規(guī)律表現(xiàn)為：5位二進制計數(shù)器實現(xiàn)（）分頻。
題型：單項選擇題
集成運放在信號運算中的應用電路有（）
題型：多項選擇題
交流放大電路接入負載電阻后，對靜態(tài)工作狀態(tài)無影響。
題型：判斷題
平衡電阻是保證了集成運放兩個輸入端，靜態(tài)時外接電阻相等。
題型：判斷題