A.提高整流裝置的功率因數(shù)
B.減小電源容量
C.減少高次諧波對(duì)電網(wǎng)的影響
D.降低晶閘管所承受的最大電壓
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A.通態(tài)壓降小,約為1.1V,僅是IGBT通態(tài)壓降的三分之一
B.開(kāi)關(guān)速度快
C.工作溫度高
D.即使關(guān)斷失敗也不會(huì)損害器件
A.防止靜電擊穿
B.防止二次擊穿
C.MOSFET不能承受反壓
D.柵源過(guò)電壓保護(hù)
A.驅(qū)動(dòng)信號(hào)的前后沿陡峭
B.驅(qū)動(dòng)信號(hào)的電壓應(yīng)高于開(kāi)啟電壓
C.信號(hào)電壓應(yīng)低于柵源擊穿電壓
D.截止時(shí)應(yīng)加小于柵源擊穿電壓的電壓
A.直接測(cè)量原邊大電流,反應(yīng)快
B.可測(cè)量交流、直流和脈沖電流
C.與被測(cè)線路隔離
D.響應(yīng)速度快
A.RC吸收電路
B.RCL吸收電路
C.充放電RCD吸收電路
D.放電阻斷RCD吸收電路
A.HL201A/HL202A
B.IR2110、IR2115、IR2130
C.EXB35N系列
D.FA5310、FA5311
A.狀態(tài)識(shí)別保護(hù)法
B.RCD吸收保護(hù)法
C.LEM模塊保護(hù)法
D.橋臂互鎖保護(hù)法
A.大功率晶體管GTR不會(huì)發(fā)生二次擊穿
B.功率MOSFET不會(huì)發(fā)生二次擊穿
C.二次擊穿可能使器件永久性損壞
D.二次擊穿的過(guò)程很短暫
A.門(mén)極開(kāi)通電路
B.門(mén)極關(guān)斷電路
C.門(mén)極反偏電路
D.RCD吸收電路
A.電阻型
B.電感型
C.電流型
D.電壓型
最新試題
對(duì)理想運(yùn)放,當(dāng)運(yùn)放工作在線性區(qū)時(shí),其輸出電壓與兩個(gè)輸入端的電壓差呈非線性關(guān)系。
下列受時(shí)鐘控制的是()
3進(jìn)制的加法計(jì)數(shù)器,需要()塊JK觸發(fā)器。
將任意一個(gè)無(wú)效狀態(tài)代入狀態(tài)方程里,它總能進(jìn)入到這個(gè)循環(huán)狀態(tài),那么也就是說(shuō)明,這個(gè)電路具有自起功能。
反相比例運(yùn)算,放大倍數(shù)為5,輸入0.2v,輸出為()v。
清零端與脈沖信號(hào)的狀態(tài)無(wú)關(guān),所以叫做同步清零。
反相比例運(yùn)算電路,平衡電阻的求法:令ui=0,則uo=0,此時(shí)反相端對(duì)地總電阻值,即為所求平衡電阻值。
uo與ui大小相等,相位相反,此時(shí)的電路稱為反相器,或倒相器。
3位二進(jìn)制加法計(jì)數(shù)器的,計(jì)數(shù)長(zhǎng)度為()
集成運(yùn)放在信號(hào)運(yùn)算中的應(yīng)用電路有()