多項選擇題常用的反并聯(lián)可逆電路有:()。

A.邏輯無環(huán)流
B.邏輯有環(huán)流
C.有環(huán)流
D.錯位無環(huán)流


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1.多項選擇題實現(xiàn)有源逆變的條件可總結(jié)如下()。

A.直流側(cè)有直流源E,電動勢方向與電流方向一致
B.∣E∣>∣Ud∣
C.逆變角β<90º
D.電路一定要串接大電感維持電流連續(xù)平穩(wěn)

2.多項選擇題晶閘管逆變電路可采用的換流方式有()。

A.負(fù)載換流
B.脈沖強迫換流
C.器件換流
D.電網(wǎng)電壓換流

3.多項選擇題晶閘管鋸齒波觸發(fā)電路至少含有以下()部分。

A.同步環(huán)節(jié)
B.鋸齒波形成及移相控制環(huán)節(jié)
C.脈沖形成、放大和輸出環(huán)節(jié)
D.脈沖保護(hù)環(huán)節(jié)

4.多項選擇題相控整流―直流電機調(diào)速系統(tǒng)在輕載時出現(xiàn)電流斷續(xù),電流斷續(xù)時機械特性()

A.與電流連續(xù)時沒有差別
B.理想空載轉(zhuǎn)速升高
C.機械特性顯著變軟
D.電機發(fā)生堵轉(zhuǎn)

5.多項選擇題整流變壓器不僅能使整流電路與電網(wǎng)隔離,還可以通過合理選擇U2()。

A.提高整流裝置的功率因數(shù)
B.減小電源容量
C.減少高次諧波對電網(wǎng)的影響
D.降低晶閘管所承受的最大電壓

6.多項選擇題MCT是一種新型電力電子器件,具有以下特點()。

A.通態(tài)壓降小,約為1.1V,僅是IGBT通態(tài)壓降的三分之一
B.開關(guān)速度快
C.工作溫度高
D.即使關(guān)斷失敗也不會損害器件

7.多項選擇題使用功率MOSFET時要注意()。

A.防止靜電擊穿
B.防止二次擊穿
C.MOSFET不能承受反壓
D.柵源過電壓保護(hù)

8.多項選擇題功率MOSFET對驅(qū)動電路的要求是()。

A.驅(qū)動信號的前后沿陡峭
B.驅(qū)動信號的電壓應(yīng)高于開啟電壓
C.信號電壓應(yīng)低于柵源擊穿電壓
D.截止時應(yīng)加小于柵源擊穿電壓的電壓

9.多項選擇題LEM模塊是快速過電流保護(hù)的理想器件,具有()優(yōu)點。

A.直接測量原邊大電流,反應(yīng)快
B.可測量交流、直流和脈沖電流
C.與被測線路隔離
D.響應(yīng)速度快

10.多項選擇題功率晶體管的浪涌電壓吸收有()形式。

A.RC吸收電路
B.RCL吸收電路
C.充放電RCD吸收電路
D.放電阻斷RCD吸收電路

最新試題

碼制即編碼體制,在數(shù)字電路中主要是指用二進(jìn)制代碼來表示非二進(jìn)制數(shù)字以及字符的編碼方法和規(guī)則。

題型:判斷題

異步計數(shù)器的計數(shù)脈沖加到了最低位觸發(fā)器,而其它各位觸發(fā)器都是,依靠相鄰低位觸發(fā)器輸出的進(jìn)位脈沖,采用逐級傳遞方式進(jìn)行觸發(fā)。

題型:判斷題

反相比例運算電路,平衡電阻的求法:令ui=0,則uo=0,此時反相端對地總電阻值,即為所求平衡電阻值。

題型:判斷題

集成運放的反相輸入端,當(dāng)輸入信號(ui1)由此輸入時,輸出信號(u0)與輸入ui1同相。

題型:判斷題

將任意一個無效狀態(tài)代入狀態(tài)方程里,它總能進(jìn)入到這個循環(huán)狀態(tài),那么也就是說明,這個電路具有自起功能。

題型:判斷題

二極管外接正向電壓,P區(qū)應(yīng)接電源()

題型:單項選擇題

交流放大電路接入負(fù)載電阻后,對靜態(tài)工作狀態(tài)無影響。

題型:判斷題

平衡電阻是保證了集成運放兩個輸入端,靜態(tài)時外接電阻相等。

題型:判斷題

集成運放在信號運算中的應(yīng)用電路有()

題型:多項選擇題

3個JK觸發(fā)器,通過電路設(shè)計,可以接成()進(jìn)制以內(nèi)的,任意進(jìn)制的計數(shù)器。

題型:單項選擇題