A.晶體二極管
B.晶體三極管
C.MOS晶體管
D.電阻
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.雙極性集成電路
B.TTL集成電路
C.CMOS集成電路
D.單極性集成電路
A.電阻
B.電容
C.二極管
D.三極管
A.輸入低電平時,三極管工作在截止區(qū),輸出為高電平。
B.輸入高電平時,三極管工作在飽和區(qū),輸出為低電平。
C.輸入低電平時,三極管工作在截止區(qū),輸出為低電平。
D.輸入高電平時,三極管工作在飽和區(qū),輸出為高電平。
A.電阻
B.電位器
C.二極管
D.三極管
A.晶體二極管
B.晶體三極管
C.MOS晶體管
D.晶體振蕩器
A.接高于2V的電壓
B.接另一TTL電路的輸出高電平
C.接地
D.懸空
A.接地
B.接低于0.8V的電壓
C.接另一個TTL電路的輸出
D.懸空
A.放大區(qū)
B.飽和區(qū)
C.截止區(qū)
D.發(fā)射區(qū)
A.電源
B.負(fù)載
C.驅(qū)動電路
D.下拉電阻
A.飽和區(qū)
B.轉(zhuǎn)折區(qū)
C.線性區(qū)
D.截止區(qū)
最新試題
基本RS觸發(fā)器的輸入直接控制其輸出狀態(tài),所以它不能被稱為()觸發(fā)器。
采用浮柵技術(shù)的EPROM中存儲的數(shù)據(jù)是()可擦除的。
一個16選一的數(shù)據(jù)選擇器,其地址輸入(選擇控制輸入)端有()個。
TTL與非門輸出低電平的參數(shù)規(guī)范值是()
以下代碼中為無權(quán)碼的為()。
用1M×4的DRAM芯片通過()擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲器。
以下哪個編碼不能是二-十進(jìn)制譯碼器的輸入編碼()
如要將一個最大幅度為5.1V的模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號,要求輸入每變化20mV,輸出信號的最低位(LSB)發(fā)生變化,應(yīng)選用()位ADC。
TTL與非門輸入短路電流IIS的參數(shù)規(guī)范值是()。
DRAM4164有2根片選線(RAS和CAS)、8根地址線和1根數(shù)據(jù)線。請判斷它的存儲容量為多少?