A.結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本低
B.輸出的高低電平數(shù)值和輸入高、低電平數(shù)值不相等
C.帶負(fù)載能力差
D.帶負(fù)載能力強(qiáng)
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D.狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖
A.TTL集成電路
B.PMOS集成電路
C.NMOS集成電路
D.CMOS集成電路
A.晶體二極管
B.晶體三極管
C.MOS晶體管
D.電阻
A.雙極性集成電路
B.TTL集成電路
C.CMOS集成電路
D.單極性集成電路
A.電阻
B.電容
C.二極管
D.三極管
A.輸入低電平時(shí)，三極管工作在截止區(qū)，輸出為高電平。
B.輸入高電平時(shí)，三極管工作在飽和區(qū)，輸出為低電平。
C.輸入低電平時(shí)，三極管工作在截止區(qū)，輸出為低電平。
D.輸入高電平時(shí)，三極管工作在飽和區(qū)，輸出為高電平。
A.電阻
B.電位器
C.二極管
D.三極管
A.晶體二極管
B.晶體三極管
C.MOS晶體管
D.晶體振蕩器
A.接高于2V的電壓
B.接另一TTL電路的輸出高電平
C.接地
D.懸空
A.接地
B.接低于0.8V的電壓
C.接另一個(gè)TTL電路的輸出
D.懸空
最新試題
10-4線(xiàn)優(yōu)先編碼器允許同時(shí)輸入（）路編碼信號(hào)。
以下哪個(gè)編碼不能是二－十進(jìn)制譯碼器的輸入編碼（）
DRAM4164有2根片選線(xiàn)（RAS和CAS）、8根地址線(xiàn)和1根數(shù)據(jù)線(xiàn)。請(qǐng)判斷它的存儲(chǔ)容量為多少？
兩個(gè)與非門(mén)構(gòu)成的基本RS觸發(fā)器，當(dāng)Q=1、Q=0時(shí)，兩個(gè)輸入信號(hào)R=1和S=1。觸發(fā)器的輸出Q會(huì)（）。
一個(gè)兩輸入端的門(mén)電路，當(dāng)輸入為10時(shí)，輸出不是1的門(mén)電路為（）
用1M×4的DRAM芯片通過(guò)（）擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲(chǔ)器。
7系列EPROM存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。
一個(gè)VHDL模塊是否必須有一個(gè)實(shí)體和一個(gè)結(jié)構(gòu)體？是否可以有多個(gè)實(shí)體和結(jié)構(gòu)體？簡(jiǎn)述它們的作用。
與倒T形電阻網(wǎng)絡(luò)DAC相比，權(quán)電流網(wǎng)絡(luò)D/A轉(zhuǎn)換器的主要優(yōu)點(diǎn)是消除了（）對(duì)轉(zhuǎn)換精度的影響。
（）在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用，其中一個(gè)重要用途是構(gòu)成數(shù)據(jù)總線(xiàn)。