A.真值表
B.表達(dá)式
C.邏輯圖
D.卡諾圖
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A.C×C=C2
B.1+1=10
C.0<1
D.A+1=A
A.輸入級
B.輸出級
C.放大級
D.中間級
A.包圍圈盡可能的大,個(gè)數(shù)盡可能的少
B.包圍圈所含小方格數(shù)為2n(n=1、2、…)
C.允許重復(fù)圈1,但每個(gè)包圍圈至少應(yīng)有一個(gè)未被其他圈包圍過的最小項(xiàng)。
D.單獨(dú)包圍孤立的最下項(xiàng)。
A.與(·)換成或(+),或(+)換成與(·)
B.原變量變換為反變量,反變量變換為原變量
C.0換成1,1換成0
D.化成最簡與或表達(dá)式
A.字符編碼
B.5421BCD碼
C.8421BCD碼
D.余3BCD碼
A.二進(jìn)制
B.BCD碼
C.十進(jìn)制
D.十六進(jìn)制
A.器件的狀態(tài)
B.電平的高低
C.脈沖的有無
D.數(shù)量的大小
A.在時(shí)間和數(shù)值變化上都是離散的信號;
B.在時(shí)間和數(shù)值變化上都是連續(xù)的信號;
C.屬于二值信號,用高電平和電平來表示;
D.無規(guī)律變化信號。
A.小規(guī)模集成電路(SSI)
B.中規(guī)模集成電路(MSI)
C.大規(guī)模集成電路(LSI)
D.超大規(guī)模集成電路(VLSI)
A.接相應(yīng)的邏輯電平
B.與有用輸入端并接
C.懸空
D.接電源
最新試題
小容量RAM內(nèi)部存儲(chǔ)矩陣的字?jǐn)?shù)與外部地址線數(shù)n的關(guān)系一般為()
TTL與非門閾值電壓UT的典型值是()
DRAM4164有2根片選線(RAS和CAS)、8根地址線和1根數(shù)據(jù)線。請判斷它的存儲(chǔ)容量為多少?
一個(gè)16選一的數(shù)據(jù)選擇器,其地址輸入(選擇控制輸入)端有()個(gè)。
根據(jù)什么判斷簡單電路中的險(xiǎn)象存在?
()在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用,其中一個(gè)重要用途是構(gòu)成數(shù)據(jù)總線。
具有“有1出0、全0出1”功能的邏輯門是()
ROM可以用來存儲(chǔ)程序、表格和大量固定數(shù)據(jù),但它不可以用來實(shí)現(xiàn)()。
利用2個(gè)74LS138和1個(gè)非門,可以擴(kuò)展得到1個(gè)()線譯碼器。
如果把D觸發(fā)器的輸出Q反饋連接到輸入D,則輸出Q的脈沖波形的頻率為CP脈沖頻率f的()。