單項(xiàng)選擇題絕緣柵雙極型晶體管簡(jiǎn)稱(chēng)（）。

A、MOSFET
B、IGBT
C、GTR
D、GTO


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1.單項(xiàng)選擇題TTL集成邏輯門(mén)電路內(nèi)部是以（）為基本元件構(gòu)成的。

A、二極管
B、晶體管
C、晶閘管
D、場(chǎng)效應(yīng)晶體管

2.單項(xiàng)選擇題CMSO集成邏輯門(mén)電路內(nèi)部是以（）為基本元件構(gòu)成的。

A、二極管
B、晶體管
C、晶閘管
D、場(chǎng)效應(yīng)晶體管

3.單項(xiàng)選擇題磁路基爾霍夫磁通定律中，穿過(guò)閉合的磁通的代數(shù)和必為（）。

A、正數(shù)
B、負(fù)數(shù)
C、零
D、無(wú)窮大A、正數(shù)
B、負(fù)數(shù)
C、零
D、無(wú)窮大

4.單項(xiàng)選擇題線圈產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)的大小正比于穿過(guò)線圈的（）。

A、磁通量的變化量
B、磁通量的變化率
C、磁通量的大小
D、磁通量的方向

5.單項(xiàng)選擇題任意一個(gè)有源線性二端網(wǎng)絡(luò)可以等效成一個(gè)含有內(nèi)阻的電壓源，該等效電源的內(nèi)阻和電動(dòng)勢(shì)是由（）的。

A、網(wǎng)絡(luò)參數(shù)和結(jié)構(gòu)決定
B、所接負(fù)載的大小和性質(zhì)決定
C、網(wǎng)絡(luò)和負(fù)載同時(shí)決定
D、網(wǎng)絡(luò)參數(shù)和負(fù)載大小決定