如圖所示為N溝道結型結構的場效應管放大電路中，已知V_P＝－4v，I_DSS＝1mA，V_DD＝16v，R_G1＝160kΩ，，R_G2＝40kΩ，R_G＝1MΩ，R_D＝10kΩ，R_S＝8kΩ，R_L＝1MΩ。試求：
（1）靜態(tài)工作點Q
（2）畫出微變等效電路
（3）電壓放大倍數(shù)A_u
（4）輸入電阻R_i、輸出電阻R_o

在如圖所示電路中，電表M的滿偏電流為100μA，表頭內(nèi)阻R_M＝2kΩ，三極管T₁、T₂的參數(shù)相同，β＝50，r_be＝1.8kΩ，電位器RW的滑動端位于中點。試求使電流表滿偏時所需的輸入電壓v_S。

共射放大電路如圖（a）所示。
（1）試確定電路的靜態(tài)工作點（寫出I_BQ、I_CQ和V_CEQ的表達式）；
（2）畫出該放大器的小信號等效電路；
（3）該放大器的輸入電阻、輸出電阻、電壓增益A_v及源電壓增益A_vs的表達式（設電容的容抗可忽略不計）；
（4）用直流電壓表測量時，若出現(xiàn)V_CEQ≈0V或V_CEQ≈24V，說明三極管工作在什么狀態(tài)？
（5）用示波器觀察v_O端波形時，若出現(xiàn)圖（b）所示情況，為何種失真？應如何消除？
（6）若想改善放大器的低頻特性，可以采用什么方法？

電路如圖所示，JFET的g_m＝2mS，r_ds＝20kΩ，求：
（1）雙端輸出時的差模電壓增益A_Vd＝（V_o1－V_o2）／V_id的值；
（2）電路改為單端輸出時，A_Vd1、A_Vc1和K_CMR的值。

如圖為一帶自舉電路的高輸入阻抗射極跟隨器。試定性說明：
（1）電壓增益接近1；
（2）如圖所示，通過C₃引入自舉可減少漏柵電容對輸入阻抗的影響；
（3）通過C₂引入自舉大大提高了放大器的輸入電阻。