圖示電路中，要使電流I增大到3I，則21Ω的電阻應(yīng)換為（）。

測(cè)試MOSFET放大電路放大倍數(shù)時(shí)，通常不能采用以下哪種做法？（）

測(cè)量電容元件的電壓電流相位關(guān)系時(shí)，示波器測(cè)量波形如圖所示，下面哪種說(shuō)法正確？（）

一個(gè)1V直流電壓源對(duì)一階零狀態(tài)RC電路充電一個(gè)τ后，再放電一個(gè)τ，此時(shí)電容電壓為（）。

?N溝道增強(qiáng)型MOSFET工作在恒流區(qū)的條件是（）。

OP07集成運(yùn)放的封裝如圖所示，請(qǐng)問(wèn)哪種引腳排列是正確的？（）

?測(cè)量放大器靜態(tài)工作點(diǎn)時(shí)，以下說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。

電路如圖所示，R1=10kΩ，R2=10kΩ，Rf=200kΩ，則該同相放大器的輸入電阻Ri=（）。

信號(hào)源輸出周期信號(hào)時(shí)頻率顯示如圖所示，當(dāng)前輸出信號(hào)的頻率是多少？（）

如圖是MOSFET電路測(cè)試時(shí)晶體管毫伏表的截圖，以下更準(zhǔn)確的是（）。