單項選擇題單相可控硅由導通變?yōu)榻刂?，要滿足（）條件。

A.升高陽極電壓
B.降低陰極電壓
C.斷開控制電路
D.正向電流小于最小維持電流


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1.單項選擇題普通晶閘管門極與陰極間的反向電阻比正向電阻（）。

A.稍大
B.基本相等
C.明顯大一些
D.小一些

2.單項選擇題用萬用表測試好得單向晶閘管時，G、K極間正反向電阻應(yīng)該（）。

A.都不大
B.都很大
C.都很小
D.一小一大

3.單項選擇題晶閘管導通的條件是（）。

A.陽極和陰極間加正向電壓，門極不加電壓
B.陽極和陰極間加反向電壓，門極和陰極間加正向電壓
C.陽極和陰極、門極和陰極間都加正向電壓
D.陽極和陰極間加正向電壓，門極加反向電壓

4.單項選擇題關(guān)于單相晶閘管的構(gòu)成，下述說法中正確地是（）。

A.可以等效的看成是由3個三極管構(gòu)成的
B.可以等效的看成是由1個NPN，1個PNP三極管構(gòu)成的
C.可以等效的看成是由2個NPN三極管構(gòu)成的
D.可以等效的看成是由2個PNP三極管構(gòu)成的

5.單項選擇題增大Uce的動態(tài)范圍使工作點Q下降是解決（）的辦法。

A.截止失真
B.飽和失真
C.交越失真
D.零點漂移