單項(xiàng)選擇題加晶種誘導(dǎo)成核過(guò)程稱(chēng)()

A.初級(jí)成核
B.次級(jí)成核
C.均相成核
D.非均相成核


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2.單項(xiàng)選擇題下列哪個(gè)因素不能影響晶體成長(zhǎng)速率()

A.溫度
B.壓力
C.晶體大小
D.雜質(zhì)

3.單項(xiàng)選擇題由外來(lái)雜質(zhì)誘導(dǎo)成核過(guò)程稱(chēng)()

A.初級(jí)成核
B.次級(jí)成核
C.均相成核
D.非均相成核

4.單項(xiàng)選擇題在()可以通過(guò)外因引起成核過(guò)程

A.不穩(wěn)區(qū)
B.穩(wěn)定區(qū)
C.介穩(wěn)區(qū)
D.過(guò)飽和區(qū)

5.單項(xiàng)選擇題下列哪個(gè)不是過(guò)飽和度的表示法()

A.濃度差
B.過(guò)飽和度比
C.相對(duì)過(guò)飽和度
D.溶解度差