單項選擇題關于P型半導體的下列說法，錯誤的是（）。

A．空穴是多數(shù)載流子
B．在二極管中，P型半導體一側接出引線后，是二極管的正極
C．在純凈的硅襯底上，摻雜五價元素，可形成P型半導體
D．在NPN型的晶體管中，基區(qū)正是由P型半導體構成


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1.單項選擇題關于晶閘管應用的下列說法錯誤的是（）。

A．經逆變等環(huán)節(jié)實現(xiàn)直流調壓
B．可用做交流開關，實現(xiàn)交流調壓
C．僅僅用于可控整流
D．常用于燈光可調節(jié)的照明電路

2.單項選擇題關于集成運放的下列說法，正確的是（）。

A．輸出電阻很大
B．輸入電阻很小
C．工作時不需要外接直流電源
D．用于線性運算時，一定要采用閉環(huán)的形式

3.單項選擇題二極管、三極管、晶閘管分別有（）個PN結，分別有（）個極。

A．1，2，3／2，3，4
B．1，2，2／2，3，3
C．1，2，3／2，3，3
D．1，3，3／1，3，3

4.單項選擇題在三極管基本放大電路中，由于靜態(tài)工作點設置不合適而出現(xiàn)截止失真。為了改善失真波形，方便的做法是應（）。

A．增大三極管基極靜態(tài)輸入電流
B．減小三極管基極靜態(tài)輸入電流
C．增大信號電壓
D．目前的三極管性能不好，應更換一個

6.單項選擇題對于運算放大器而言，下列說法錯誤的是（）。

A．多級直接耦合
B．高輸出阻抗
C．高輸入阻抗
D．高放大倍數(shù)

8.單項選擇題集成運放的兩個信號輸入端分別為（）。

A．同相和反相
B．直流和交流
C．電壓和電流
D．基極和集電極

9.單項選擇題晶閘管的結構是（）。

A．三層四端
B．三層二端
C．四層三端
D．四層四端