單項選擇題對于形成雜質(zhì)缺陷而言，高價正離子占據(jù)低價正離子位置時，該位置帶有正電荷，為了保持電中性，會產(chǎn)生（）。
A.正離子空位
B.間隙負離子
C.負離子空位
D.A或B
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項選擇題對于形成雜質(zhì)缺陷而言，低價正離子占據(jù)高價正離子位置時，該位置帶有負電荷，為了保持電中性，會產(chǎn)生（）。
A.負離子空位
B.間隙正離子
C.間隙負離子
D.A或B
2.單項選擇題位錯的（）是指在熱缺陷的作用下，位錯在垂直滑移方向的運動，結果導致空位或間隙原子的增值或減少。
A.攀移
B.滑移
C.增值
D.減少
3.單項選擇題點缺陷與材料的電學性質(zhì)、光學性質(zhì)、材料的高溫動力學過程等有關，以下點缺陷中屬于本征缺陷的是（）。
A.弗侖克爾缺陷
B.肖特基缺陷
C.雜質(zhì)缺陷
D.A+B
4.單項選擇題根據(jù)鮑林（Pauling）規(guī)則，離子晶體MX2中二價陽離子的配位數(shù)為8時，一價陰離子的配位數(shù)為（）。
A.2
B.4
C.6
D.8
5.單項選擇題對沸石、螢石、MgO三類晶體具有的空隙體積相比較，其由大到小的順序為（）。
A.沸石>螢石>MgO
B.沸石>MgO>螢石
C.螢石>沸石>MgO
D.螢石>MgO>沸石