單項選擇題硅酸鹽熔體中各種聚合程度的聚合物濃度（數(shù)量）受（）因素的影響。

A.組成
B.溫度
C.時間
D.A+B+C


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1.單項選擇題位錯的運動包括位錯的滑移和位錯的攀移，其中（）。

A.螺位錯只作滑移，刃位錯既可滑移又可攀移
B.刃位錯只作滑移，螺位錯只作攀移
C.螺位錯只作攀移，刃位錯既可滑移又可滑移
D.螺位錯只作滑移，刃位錯只作攀移

2.單項選擇題位錯的具有重要的性質，下列說法不正確的是（）。

A.位錯不一定是直線
B.位錯是已滑移區(qū)和未滑移區(qū)的邊界
C.位錯可以中斷于晶體內部
D.位錯不能中斷于晶體內部

3.單項選擇題熱缺陷亦稱為本征缺陷，是指由熱起伏的原因所產生的空位或間隙質點（原子或離子）。生成弗侖克爾缺陷（Frenkeldefect）時，（）。

A.間隙和空位質點同時成對出現(xiàn)
B.正離子空位和負離子空位同時成對出現(xiàn)
C.正離子間隙和負離子間隙同時成對出現(xiàn)
D.正離子間隙和位錯同時成對出現(xiàn)

4.單項選擇題熱缺陷亦稱為本征缺陷，是指由熱起伏的原因所產生的空位或間隙質點（原子或離子）。當離子晶體生成肖特基缺陷（Schottkydefect）時，（）。

A.正離子空位和負離子空位是同時成對產生的，同時伴隨晶體體積的縮小
B.正離子空位和負離子空位是同時成對產生的，同時伴隨晶體體積的增加
C.正離子空位和負離子間隙是同時成對產生的，同時伴隨晶體體積的增加
D.正離子間隙和負離子空位是同時成對產生的，同時伴隨晶體體積的增加