單項選擇題單管DRAM位線上的分布電容電荷大，降低了存儲高電平的電位，僅達(dá)到（），因此需要增加靈敏恢復(fù)/放大電路放大電壓，達(dá)到高電平的值。

A.0.1V
B.0V
C.0.2V
D.1V


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1.多項選擇題四管動態(tài)存儲單元電路不需要靈敏恢復(fù)/放大電路的原因是（）。

A.輸出高電平的電位足夠高
B.輸出低電平的電位足夠高
C.電容可以存儲電荷
D.用鎖存器的輸出存儲電平

2.單項選擇題QDR SDRAM為（）。

A.同步動態(tài)隨機存儲器
B.異步靜態(tài)隨機存儲器
C.2倍速同步隨機存儲器
D.4倍速同步動態(tài)隨機存儲器

3.單項選擇題可變模計數(shù)器，或者其他多變化控制電路可用（）輸入條件改變。

A.編程
B.自動
C.移位寄存器的輸出
D.復(fù)位

4.單項選擇題基于MSI時序電路子模塊劃分的依據(jù)是（）。

A.功能
B.輸入/輸出
C.時序電路
D.組合電路
E.以上都是

5.單項選擇題可逆集成計數(shù)器74190和74191的區(qū)別是（）

A.異步復(fù)位
B.異步預(yù)置
C.單、雙時鐘
D.計數(shù)器的模