A.發(fā)作期和發(fā)作間期均見局部放射性增高
B.發(fā)作期和發(fā)作間期均使局部放射性減低
C.發(fā)作期局部放射性減低,發(fā)作間期局部放射性增高
D.發(fā)作期局部放射性增高,發(fā)作間期放射性減低
E.發(fā)作期和發(fā)作間期均無放射性改變
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A.靜態(tài)顯像
B.動態(tài)顯像
C.局部顯像
D.全身顯像
E.早期顯像
A.計算機不一樣
B.放射源不一樣
C.影像靈敏度不一樣
D.成像速度不一樣
E.價格不一樣
A.25~50keV
B.50~100keV
C.100~300keV
D.300~500keV
E.>800keV
A.放射性配體結(jié)合分析法原理
B.γ閃爍顯像原理
C.臟器功能檢測原理
D.放射自顯影原理
E.核素示蹤原理
A.放射性標記抗原與限量的特異抗體進行結(jié)合反應(yīng)
B.標準抗原與限量的特異抗體進行結(jié)合反應(yīng)
C.放射性標記抗體及過量抗體與抗原非競爭性結(jié)合反應(yīng)
D.放射性標記抗原與過量的特異抗體進行結(jié)合反應(yīng)
E.放射性標記抗原和非標記抗原與限量的特異性抗體進行競爭結(jié)合反應(yīng)
A.一種層析儀器
B.體外放射性核素探測儀器
C.體內(nèi)臟器顯像儀器
D.放射性活度測量儀器
E.一種從長半衰期核素衰變產(chǎn)物中得到短半衰期核素的裝置
A.α射線
B.β射線
C.γ射線
D.低能射線
E.中微子
A.光電子
B.康普頓電子
C.電子對
D.熒光光子
E.俄歇電子
A.示蹤劑
B.指示劑
C.標記原子
D.分離劑
E.催化劑
A.控制受照時間(時間防護),適當增加與放射源間的距離(距離防護)和恰當利用屏蔽(屏蔽防護)
B.大量增加屏蔽物(屏蔽防護),時間和距離無關(guān)緊要
C.加大受照防護(時間防護),增加與放射源間的距離(距離防護)
D.控制受照時間(時間防護),大量增加屏蔽物(屏蔽防護)
E.增加與放射源間的距離(距離防護),利用屏蔽物(屏蔽防護)
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