放大電路如圖所示。已知：β＝20，R_B＝200Ω，V_CC＝20V，R_B1＝R_B2＝24kΩ，R_C＝1kΩ，U_BE＝0.7V，r_bb′＝200Ω。VD_Z為理想的硅管穩(wěn)壓二極管，其穩(wěn)壓值U_DZ＝6V。
（1）計算靜態(tài)工作點的I_CQ和U_CEQ；
（2）求電壓的放大倍數(shù)A_u和輸入電阻R_i；
（3）若VD_Z極性接反，電路能否正常放大？試計算此時靜態(tài)工作點，并定性分析VD_Z反接對A_u和R_i的影響。

試判斷如圖各電路是否能夠放大電路信號。

如圖所示的電路，已知：β＝50，U_BE＝0.6V，R_B1＝30kΩ，R_B2＝10kΩ，R_C＝4kΩ，R_E＝2.4kΩ，R_L＝4kΩ，V_CC＝＋12V，C_L、C₂、C_E以交流信號可視為短路，求：
（1）靜態(tài)時I_C和I_B值；
（2）畫出放大器微變等效電路；
（3）求三極管的r_be；
（4）C_E開路時求電壓放大倍數(shù)；
（5）若C_E短路時，求A_u。

在如圖所示的電路中，U_S為正弦波小信號，其平均值為0，BJT的β＝100。
（1）為使發(fā)射極電流I_E約為1mA，求R_E的值；
（2）如需建立集電極電壓U_C約為＋5V，求R_C的值；
（3）設(shè)R_L＝5kΩ，求電路中的C_B1和C_B2的容抗可忽略，取R_S＝500Ω。

電路參數(shù)如圖所示。設(shè)FET的參數(shù)為g_m＝0.8mS，r_d＝200Ω，3AG29（VT₂）的β＝40，r_be＝1kΩ。試求放大電路的電壓增益和輸入電阻R_i。