A.X射線照相應(yīng)盡量選用較低的管電壓
B.γ射線照相時(shí),總的曝光時(shí)間應(yīng)不小于輸送源所需時(shí)間的10倍
C.X射線照相,當(dāng)焦距為700mm時(shí),曝光量的推薦值為:AB級(jí)不小于15mA.min
D.X射線照相在采用較高管電壓時(shí),應(yīng)保證適當(dāng)?shù)钠毓饬?/p>
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A.電源電壓下降超過10%時(shí),黑光燈輸出功率將大大降低
B.電源電壓波動(dòng)超過10%時(shí),對(duì)人眼損傷較大
C.電源電壓過低嚴(yán)重影響檢測(cè)靈敏度
D.電源電壓過高嚴(yán)重影響黑光燈壽命
A.試塊清洗后,放在酒精溶液中保存
B.施加滲透劑可直接進(jìn)行刷涂
C.施加滲透劑不能用噴涂方法
D.熒光滲透檢測(cè)用試塊可用于著色滲透檢測(cè)
A.滲透檢測(cè)質(zhì)量分級(jí)考慮到了缺陷性質(zhì)、數(shù)量、尺寸和密集程度
B.圓形缺陷的分級(jí)既限定了單個(gè)缺陷最大尺寸,又限定了缺陷密集程度
C.焊接接頭不允許存在橫向線性缺陷顯示
D.評(píng)定框內(nèi)同時(shí)存在線性缺陷和圓形缺陷時(shí),應(yīng)進(jìn)行綜合評(píng)級(jí)
A.干式顯像劑應(yīng)對(duì)其比重進(jìn)行經(jīng)常校驗(yàn)
B.干式顯像劑應(yīng)經(jīng)常檢查粉末凝聚
C.干式顯像劑應(yīng)經(jīng)常檢查殘留熒光
D.干式顯像劑對(duì)工件無(wú)腐蝕
A.A型對(duì)比試塊A、B試塊上具有細(xì)密相對(duì)稱的裂紋圖形
B.A型對(duì)比試塊是淬火裂紋
C.B型試塊是輻射狀裂紋
D.B型試塊的材質(zhì)是鋁合金
最新試題
底片清晰度與膠片顆粒度的關(guān)系是()
最容易發(fā)生康普頓效應(yīng)的射線能量為()
物質(zhì)對(duì)輻射的吸收是隨什么而變()
光電效應(yīng)發(fā)生的機(jī)率隨什么變化()
超聲波斜探頭的K值等于()的正切值。
原子是元素的具體存在,是體現(xiàn)元素性質(zhì)的最小微粒。
在工作中超聲波檢測(cè)儀屏幕上可能會(huì)出現(xiàn)()等信號(hào)波,需要仔細(xì)判別。
一般認(rèn)為表面波探測(cè)的有效深度約為()
底片清晰度和膠片與被照件貼緊程度的關(guān)系是()
底片的最佳黑度值與觀片燈的亮度有關(guān),觀片燈亮度改變,最佳黑度值也將改變。