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單項(xiàng)選擇題當(dāng)P型和N型半導(dǎo)體接觸時(shí)，即會(huì)產(chǎn)生一空乏層，而P型半導(dǎo)體之空乏層內(nèi)應(yīng)有（）

A.電洞
B.電子
C.正離子
D.負(fù)離子

1.單項(xiàng)選擇題二極管并聯(lián)可增加（）

A.最大電流
B.最大逆向電壓
C.交換時(shí)間
D.以上皆正確

2.單項(xiàng)選擇題P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體結(jié)合時(shí)，會(huì)在PN接合面上形成空乏區(qū)，則空乏區(qū)靠N型側(cè)內(nèi)有下列何者？（）

A.電子
B.電洞
C.正離子
D.負(fù)離子

3.單項(xiàng)選擇題有關(guān)稽納二極管的敘述，下列何者為真？（）

A.它是個(gè)定電壓組件
B.它是個(gè)定電流組件
C.它工作在順向區(qū)
D.它具有負(fù)電阻特性

4.單項(xiàng)選擇題整塊N型半導(dǎo)體是呈（）

A.負(fù)電性
B.正電性
C.電中性
D.不一定

5.單項(xiàng)選擇題在實(shí)用電路上，變?nèi)荻O管的電容量與外加變?nèi)荻O管兩端之（）

A.逆向電壓成正比
B.逆向電壓成反比
C.順向電壓成正比
D.順向電壓成反比
E.以上皆非