A.電抗管
B.變?nèi)莨?br/>C.變阻管
D.集成電器
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A.當(dāng)系統(tǒng)有幾個(gè)輸入量作用,則響應(yīng)量等于每個(gè)輸入量單獨(dú)作用所產(chǎn)生的響應(yīng)量之和
B.當(dāng)系統(tǒng)有幾個(gè)輸入量作用,則響應(yīng)量等于每個(gè)輸入量單獨(dú)作用所產(chǎn)生的響應(yīng)量之積
C.當(dāng)系統(tǒng)有幾個(gè)輸入量作用,則響應(yīng)量等于每個(gè)輸入量單獨(dú)作用所產(chǎn)生的響應(yīng)量之差
D.當(dāng)系統(tǒng)有幾個(gè)輸入量作用,則響應(yīng)量等于每個(gè)輸入量單獨(dú)作用所產(chǎn)生的響應(yīng)量倒數(shù)之和
A.線圈上的線阻
B.線圈的尺寸
C.線圈匝數(shù)
D.線圈周圍介質(zhì)的導(dǎo)磁性能
A.穩(wěn)壓二極管
B.PIN 二極管
C.變?nèi)荻O管
D.開(kāi)關(guān)二極管
A.工作站有輸入、輸出終端
B.工作站的機(jī)器可與服務(wù)器相同
C.工作站必須要有硬盤,以便安裝操作系統(tǒng)
D.工作站可以沒(méi)有硬盤或軟盤
A.是一種瞬態(tài)元件
B.是一種耗能元件
C.是一種線性元件
D.具有“記憶”功能的元件
最新試題
以下哪個(gè)選項(xiàng)不屬于計(jì)算機(jī)通信網(wǎng)絡(luò)資源共享的范疇()。
SRAM 和DRAM 的相比較,下列說(shuō)法正確的是()。
加在電感上的電壓與流過(guò)電感的電流關(guān)系為()。
關(guān)于理想電感描述不正確的是()。
OSI 七層結(jié)構(gòu)及TCP/IP 體系結(jié)構(gòu)中均存在網(wǎng)絡(luò)層。()
頻分復(fù)用中信道的每個(gè)頻段可以用適當(dāng)?shù)模ǎ⑺鼈兎指铋_(kāi)來(lái),分別解調(diào)接收。
RS-449物理層標(biāo)準(zhǔn)包含有非平衡式的RS-422和平衡式的RS-423兩個(gè)子標(biāo)準(zhǔn)。()
USB 接口與RS232接口對(duì)比,最大的優(yōu)點(diǎn)是()。
計(jì)算機(jī)的存儲(chǔ)系統(tǒng)通常分為兩種,其中一種叫虛擬存儲(chǔ)系統(tǒng),它是由()組成。
以下哪個(gè)分層結(jié)構(gòu)在OSI 七層結(jié)構(gòu)及TCP/I P 體系結(jié)構(gòu)中均存在()。