單項(xiàng)選擇題在PN結(jié)的形成過程中,下列說法中錯(cuò)誤的是()

A.多數(shù)載流子的運(yùn)動(dòng)稱為漂移;
B.電子與空穴的中和稱為復(fù)合;
C.多數(shù)載流子的運(yùn)動(dòng)稱為擴(kuò)散;
D.少數(shù)載流子的運(yùn)動(dòng)稱為漂移;


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1.單項(xiàng)選擇題

理想二極管組成的電路如下圖所示,其AB兩端的電壓是()

A.—12V;
B.—6V;
C.+6V;
D.+12V。

2.單項(xiàng)選擇題晶體三極管的飽和條件,下列說法正確的是()

A.發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏;
B.發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)正偏;
C.發(fā)射結(jié)反偏、集電結(jié)正偏;
D.發(fā)射結(jié)反偏、集電結(jié)反偏。

3.單項(xiàng)選擇題晶體三極管的截止條件,下列說法正確的是()

A.發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏;
B.發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)正偏;
C.發(fā)射結(jié)反偏、集電結(jié)正偏;
D.發(fā)射結(jié)反偏、集電結(jié)反偏。

4.單項(xiàng)選擇題晶體三極管用于放大的條件,下列說法正確的是()

A.發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏;
B.發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)正偏;
C.發(fā)射結(jié)反偏、集電結(jié)正偏;
D.發(fā)射結(jié)反偏、集電結(jié)反偏;

5.單項(xiàng)選擇題在摻雜后的半導(dǎo)體中,其導(dǎo)電能力的大小的說法正確的是()

A.摻雜的工藝;
B.雜質(zhì)的濃度;
C.溫度;
D.晶體的缺陷。