多項(xiàng)選擇題晶閘管門(mén)極說(shuō)法正確的是（）。

A.可以控制其導(dǎo)通
B.可以控制其關(guān)斷
C.不能控制其導(dǎo)通
D.不能控制其關(guān)斷


您可能感興趣的試卷

你可能感興趣的試題

1.多項(xiàng)選擇題下列是常用的過(guò)電流保護(hù)措施的是（）。

A.快速熔斷器
B.直流快速斷路器
C.過(guò)電流繼電器
D.以上都不正確

2.單項(xiàng)選擇題電力二極管的最高工作結(jié)溫通常在（）℃之間。

A.0-100
B.50-125
C.100-175
D.125-175

3.單項(xiàng)選擇題（）是將電力MOSFET與晶閘管SCR組合而成的復(fù)合型器件。

A.MCT
B.SIT
C.SITH
D.IGCT

4.單項(xiàng)選擇題電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管的英文表示為（）。

A.GTO
B.GTR
C.電力MOSFET
D.IGBT

5.單項(xiàng)選擇題使IGBT開(kāi)通的柵射極間驅(qū)動(dòng)電壓一般取（）V。

A.（-5）-（-15）
B.10-15
C.15-20
D.20-25