A.劑量建成區(qū)
B.低劑量坪區(qū)
C.高劑量坪區(qū)
D.劑量跌落區(qū)
E.X射線污染區(qū)
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A.W=2rSin(β/2)/[1-(f/r)Cos(β/2)]
B.W=2rSin(β/2)/[1-(r/F.Cos(β/2)]
C.W=2rSin(f/2)/[1-(r/F.Cos(β/2)]
D.W=2rSin(β/2)/[1-(r/F.Cos(f/2)]
E.W=2rCos(β/2)/[1-(r/F.Sin(β/2)]
A.2.3
B.2.4
C.3.4
D.4.3
E.4.4
A.2.3
B.2.4
C.3.4
D.4.3
E.4.4
A.X射線準(zhǔn)直器;電子束準(zhǔn)直器
B.X射線準(zhǔn)直器;體表限束器
C.電子束準(zhǔn)直器;X射線準(zhǔn)直器
D.電子束準(zhǔn)直器;體表限束器
E.體表限束器;X射線準(zhǔn)直器
A.無(wú)閾值
B.具有一定的閾值,約在5-7.5Gy
C.具有一定的閾值,約在5.5-7Gy
D.具有一定的閾值,約在7.5-8Gy
E.具有一定的閾值,約在8-9.5Gy
最新試題
半影為射野邊緣劑量隨離開(kāi)中心軸距離增加而急劇變化的范圍。
隨能量增大,光電效應(yīng)發(fā)生的概率迅速減小。
影響靶點(diǎn)位置精確度的因素包括機(jī)械精度,定位精度和擺位精度。
實(shí)際患者治療時(shí),無(wú)環(huán)重定位技術(shù)的靶點(diǎn)位置總的治療精度稍劣于有環(huán)技術(shù)。
質(zhì)量保證和質(zhì)量控制的簡(jiǎn)稱分別為QA、QC。
治療證實(shí)是治療準(zhǔn)確執(zhí)行的重要保證,包括驗(yàn)證記錄系統(tǒng),射野影像系統(tǒng),活體劑量測(cè)量系統(tǒng)。
射線能量越高,百分深度劑量隨射野面積的改變?cè)叫 ?/p>
檢查燈光野與射野的一致性通常用膠片法。
帶電粒子入射到物體時(shí),沒(méi)有確定的射程。
對(duì)重離子,線性碰撞本領(lǐng)是選擇組織替代材料的首要條件。