單項(xiàng)選擇題腫瘤組織內(nèi)的克隆源性細(xì)胞數(shù)，通常用腫瘤的（）表示。
A.SF2
B.Tpot
C.T分期
D.N分期
E.M分期
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1.單項(xiàng)選擇題巴黎系統(tǒng)規(guī)定，單平面插植最多使用9根放射源，三角形雙平面插植最多也使用9根放射源，而正方形排列為（）根放射源。
A.8
B.9
C.10
D.11
E.12
2.單項(xiàng)選擇題關(guān)于巴黎系統(tǒng)的插植基本規(guī)則，描述錯(cuò)誤的是（）
A.所有的放射源的線比釋動(dòng)能率相等
B.放射源是相互平行的直線源
C.插植時(shí)各直線源強(qiáng)度及長(zhǎng)度相等
D.各源的中心在同一平面，即中心平面
E.多平面插植放射源排列為長(zhǎng)方形或等邊三角形
3.單項(xiàng)選擇題曼徹斯特系統(tǒng)規(guī)定，輻射平面的面積決定周邊源與中心源強(qiáng)度之比，當(dāng)面積小于25cm2時(shí)，二者的比值是（）
A.1/4
B.1/3
C.1/2
D.2/3
E.4/5
4.單項(xiàng)選擇題曼徹斯特系統(tǒng)規(guī)定，若放射源不能形成封閉的輻射平面，則治療的面積會(huì)有所減少，一般單側(cè)無(wú)交叉，面積減少（）
A.5%
B.10%
C.15%
D.20%
E.25%
5.單項(xiàng)選擇題采用等中心方法，拍攝兩張互相垂直的影象片，此種放射源的定位技術(shù)稱為（）
A.正交技術(shù)
B.立體平移技術(shù)
C.立體交角技術(shù)
D.立體斜交技術(shù)
E.旋轉(zhuǎn)技術(shù)
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對(duì)重離子，線性碰撞本領(lǐng)是選擇組織替代材料的首要條件。
題型：判斷題
隨能量增大，光電效應(yīng)發(fā)生的概率迅速減小。
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源皮距越小，百分深度劑量越大。
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伽瑪?shù)栋悬c(diǎn)位置精度高于X射線立體定向治療系統(tǒng)的精度。
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帶電粒子入射到物體時(shí)，沒(méi)有確定的射程。
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巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動(dòng)能率相等。
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組織最大劑量比TMR 和源皮距的關(guān)系是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
影響靶點(diǎn)位置精確度的因素包括機(jī)械精度，定位精度和擺位精度。
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目前靶區(qū)劑量的精確性規(guī)定應(yīng)達(dá)到（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題