A.放射敏感性與增殖能力成正比,與分化程度成反比
B.放射敏感性與增殖能力成反比,與分化程度成正比
C.放射敏感性與增殖能力及分化程度均成正比
D.放射敏感性只與增殖能力有關(guān)
E.放射敏感性只與分化程度有關(guān)
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A.0.5倍
B.0.85倍
C.1.0倍
D.1.18倍
E.1.55倍
A.局部劑量高且LET高
B.局部劑量低且LET低
C.局部劑量高但LET低
D.局部劑量低但LET高
E.以上均錯(cuò)誤
A.低LET射線存在亞致死損傷
B.低LET射線的RBE高
C.高LET射線治療時(shí)劑量改變的影響不顯著
D.低LET射線治療時(shí)存在細(xì)胞修復(fù)
E.低LET射線治療時(shí)細(xì)胞階段的敏感性差異明顯
A.增益比
B.治療比
C.標(biāo)準(zhǔn)劑量比
D.參考劑量比
E.耐受比
A.窄束
B.寬束
C.平行寬束
D.平行寬束和單一能量
E.平行窄束和單一能量
最新試題
電磁掃描調(diào)強(qiáng)不僅具有X 射線光子的利用率高、治療時(shí)間短的優(yōu)點(diǎn),而且可實(shí)現(xiàn)電子束、質(zhì)子束的調(diào)強(qiáng)治療。
組織最大劑量比TMR 和源皮距的關(guān)系是()。
低LET射線的RBE值()1.0,高LET射線的RBE值()2.0。
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動(dòng)能率相等。
射野中心軸上百分深度劑量值的大小直接反應(yīng)了射線質(zhì)(能量)的高低。
治療證實(shí)是治療準(zhǔn)確執(zhí)行的重要保證,包括驗(yàn)證記錄系統(tǒng),射野影像系統(tǒng),活體劑量測(cè)量系統(tǒng)。
質(zhì)量保證和質(zhì)量控制的簡(jiǎn)稱分別為QA、QC。
α/β不僅代表了細(xì)胞存活曲線的曲度,也代表了細(xì)胞對(duì)亞致死損傷的修復(fù)能力。
光電效應(yīng)時(shí)入射X(γ)光子的能量一部分轉(zhuǎn)化為次級(jí)電子動(dòng)能,另一部分為特征X 射線能量。
隨能量增大,光電效應(yīng)發(fā)生的概率迅速減小。