A.半衰期短,能量低
B.半衰期長(zhǎng),能量低
C.半衰期短,能量高
D.半衰期長(zhǎng),能量高
E.劑量分布差,操作復(fù)雜
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A.10-60KV
B.60-160KV
C.180-400KV
D.400KV-1MV
E.2-50MV
A.射線質(zhì)
B.射線入射角度
C.照射劑量
D.洗片條件
E.照射劑量率
A.依賴(lài)于電離室的幾何形狀
B.依賴(lài)于電離室的制作材料
C.與電離室的比釋動(dòng)能校準(zhǔn)因子NK有關(guān)
D.與照射量校準(zhǔn)因子NX有關(guān)
E.與吸收劑量校準(zhǔn)因子Cλ,CE有關(guān)
A.0.83;1590a
B.1.25;5.27a
C.0.662;33.0a
D.0.36;74.2d
E.0.028;59d
A.一維物理楔形板
B.動(dòng)態(tài)楔形板
C.多葉準(zhǔn)直器動(dòng)態(tài)掃描
D.多葉準(zhǔn)直器靜態(tài)掃描
E.筆形束電磁掃描
最新試題
隨能量增大,光電效應(yīng)發(fā)生的概率迅速減小。
射線能量越高,百分深度劑量隨射野面積的改變?cè)叫 ?/p>
質(zhì)量保證和質(zhì)量控制的簡(jiǎn)稱(chēng)分別為QA、QC。
帶電粒子入射到物體時(shí),沒(méi)有確定的射程。
實(shí)際患者治療時(shí),無(wú)環(huán)重定位技術(shù)的靶點(diǎn)位置總的治療精度稍劣于有環(huán)技術(shù)。
低LET射線的RBE值()1.0,高LET射線的RBE值()2.0。
治療證實(shí)是治療準(zhǔn)確執(zhí)行的重要保證,包括驗(yàn)證記錄系統(tǒng),射野影像系統(tǒng),活體劑量測(cè)量系統(tǒng)。
LET=()Kev/μm 是高低LET 射線的分界線。
射野中心軸上百分深度劑量值的大小直接反應(yīng)了射線質(zhì)(能量)的高低。
源皮距越小,百分深度劑量越大。