A.用硅晶體制成的半導(dǎo)體探測(cè)器比相同體積的空氣電離室的靈敏度高
B.在鉆-60伽瑪輻射場(chǎng)中,N型半導(dǎo)體探測(cè)器的靈敏度比P型半導(dǎo)體探測(cè)器的靈敏度受累積劑量的影響要小
C.照射野的大小會(huì)影響半導(dǎo)體探測(cè)器的靈敏度
D.環(huán)境溫度會(huì)影響半導(dǎo)體探測(cè)器的靈敏度
E.劑量率會(huì)影響半導(dǎo)體探測(cè)器的靈敏度
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A.加熱盤
B.光電倍增管
C.分光光計(jì)度
D.信號(hào)放大器
E.記錄儀
A.穿過(guò)防護(hù)墻的治療射線束及其散射線和機(jī)房?jī)?nèi)原生放射性
B.穿過(guò)防護(hù)墻的治療射線束及其散射線和機(jī)房?jī)?nèi)雜散放射性
C.穿過(guò)防護(hù)墻的治療射線束及其散射線和機(jī)房?jī)?nèi)感生放射性
D.穿過(guò)防護(hù)墻的宇宙射線束及其散射線和機(jī)房?jī)?nèi)原生放射性
E.穿過(guò)防護(hù)墻的宇宙射線束及其散射線和機(jī)房?jī)?nèi)宇生放射性
A.天然輻射源造成的天然本底輻射
B.人工輻射源造成的輻射
C.醫(yī)療輻射源造成的意外輻射
D.工業(yè)輻射源造成的本底輻射
E.核試驗(yàn)輻射源造成的本底輻射
A.能力
B.距離
C.大小
D.假源
E.到位精度
A.飽和性
B.桿效應(yīng)
C.復(fù)合效應(yīng)
D.極化效應(yīng)
E.熱效應(yīng)
最新試題
影響靶點(diǎn)位置精確度的因素包括機(jī)械精度,定位精度和擺位精度。
準(zhǔn)直器所產(chǎn)生的散射線對(duì)劑量的貢獻(xiàn)主要源于二級(jí)準(zhǔn)直器。
LET=()Kev/μm 是高低LET 射線的分界線。
半影為射野邊緣劑量隨離開中心軸距離增加而急劇變化的范圍。
直線加速器使用的射野最大為()。
質(zhì)子束的優(yōu)勢(shì)在于布拉格峰形百分深度劑量分布。
質(zhì)量保證和質(zhì)量控制的簡(jiǎn)稱分別為QA、QC。
等效射野指的是通過(guò)計(jì)算換算后的方形野。
“4R”描述的是影響腫瘤和正常組織的輻射生物效應(yīng)因素。
射線能量越高,百分深度劑量隨射野面積的改變?cè)叫 ?/p>