A.光子強度
B.光子能量
C.次級電子有射程
D.次級電子強度
E.次級電子能量
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A.光子強度,衰減介質(zhì)的原子序數(shù)
B.光子強度,衰減介質(zhì)的阻止本領(lǐng)
C.光子能量,衰減介質(zhì)的原子序數(shù)
D.光子能量,衰減介質(zhì)的厚度
E.光子能量,衰減介質(zhì)的質(zhì)量
A.電離室
B.正比計數(shù)器
C.閃爍探測器
D.半導(dǎo)體探測器
E.GM計數(shù)器
A.CTV
B.BEV
C.REV
D.DRR
E.DVH
A.輸出劑量
B.射野平坦度
C.虛擬楔形角度
D.射野對稱性
E.輸出劑量率
A.<±1%
B.<±3%
C.<±5%
D.<±7%
E.<±10%
最新試題
電磁掃描調(diào)強不僅具有X 射線光子的利用率高、治療時間短的優(yōu)點,而且可實現(xiàn)電子束、質(zhì)子束的調(diào)強治療。
對重離子,線性碰撞本領(lǐng)是選擇組織替代材料的首要條件。
帶電粒子入射到物體時,沒有確定的射程。
人體曲面校正的組織空氣比法或組織最大劑量比方法的修正因子CF的表達(dá)式是()。
射線能量越高,百分深度劑量隨射野面積的改變越小。
準(zhǔn)直器所產(chǎn)生的散射線對劑量的貢獻(xiàn)主要源于二級準(zhǔn)直器。
光電效應(yīng)時入射X(γ)光子的能量一部分轉(zhuǎn)化為次級電子動能,另一部分為特征X 射線能量。
實際患者治療時,無環(huán)重定位技術(shù)的靶點位置總的治療精度稍劣于有環(huán)技術(shù)。
影響靶點位置精確度的因素包括機械精度,定位精度和擺位精度。
LET=()Kev/μm 是高低LET 射線的分界線。