A.指型電離室
B.半導(dǎo)體探測器
C.中子探測器
D.閃爍計(jì)數(shù)器
E.正比計(jì)數(shù)器
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A.射線束能量高
B.射線束劑量率高
C.放射源尺寸大
D.曝光時(shí)間長
E.照射距離長
A.也稱為Kerma
B.從間接電離輻射轉(zhuǎn)移到直接電離輻射的平均數(shù)量
C.不考慮能量轉(zhuǎn)移后的情況
D.沉積在單位質(zhì)量中的能量
E.適用于非直接電離輻射的一個(gè)非隨機(jī)量
A.95%
B.90%
C.85%
D.80%
E.75%
A.絕對比釋動(dòng)能和相對比釋動(dòng)能
B.絕對比釋動(dòng)能和碰撞比釋動(dòng)能
C.絕對比釋動(dòng)能和輻射比釋動(dòng)能
D.絕對比釋動(dòng)能、相對比釋動(dòng)能、碰撞比釋動(dòng)能和輻射比釋動(dòng)能
E.碰撞比釋動(dòng)能和輻射比釋動(dòng)能
A.增加了治療凈空間
B.不能單獨(dú)使用原有的一、二級準(zhǔn)直器進(jìn)行治療
C.葉片長度比替代二級準(zhǔn)直器的MLC葉片運(yùn)動(dòng)范圍要長或形成的射野較小
D.增加了漏射劑量
E.準(zhǔn)直器散射因子(SC.和模體散射因子(Sp)不變
最新試題
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動(dòng)能率相等。
兩種不同深度處的百分深度劑量比值稱為射線質(zhì)指數(shù)或能量指數(shù)。
帶電粒子與物質(zhì)的一次相互作用可以損失其能量的全部或很大一部分。
實(shí)際患者治療時(shí),無環(huán)重定位技術(shù)的靶點(diǎn)位置總的治療精度稍劣于有環(huán)技術(shù)。
巴黎系統(tǒng)規(guī)定臨床靶區(qū)的厚度T大于1.2cm 時(shí),應(yīng)采用雙平面插植。
對射野輸出劑量的檢測頻率,加速器高于鈷60機(jī)。
準(zhǔn)直器所產(chǎn)生的散射線對劑量的貢獻(xiàn)主要源于二級準(zhǔn)直器。
射線能量越高,百分深度劑量隨射野面積的改變越小。
利用圓形小野旋轉(zhuǎn)集束照射是X(γ)射線SRT(SRS)的基本特征。
影響靶點(diǎn)位置精確度的因素包括機(jī)械精度,定位精度和擺位精度。