單項選擇題以下材料中，結(jié)晶過程中以非小平面方式生長的是（）
A.金屬鍺
B.透明環(huán)己烷
C.氧化硅
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1.單項選擇題由于晶核產(chǎn)生于高畸變能區(qū)域，再結(jié)晶在（）部位不易形核。
A.大角度晶界和孿晶界
B.相界面
C.外表面
2.單項選擇題開始發(fā)生再結(jié)晶的標志是（）
A.產(chǎn)生多變化
B.新的無畸變等軸小晶粒代替變形組織
C.晶粒尺寸顯著增大
3.單項選擇題純金屬材料的再結(jié)晶過程中，最有可能在（）位置首先發(fā)生再結(jié)晶形核。
A.小角度晶界
B.孿晶界
C.外表面
4.單項選擇題再結(jié)晶晶粒長大的過程中，晶粒界面的不同曲率是造成晶界遷移的直接原因，晶界總是向著（）方向移動。
A.曲率中心
B.曲率中心相反
C.曲率中心垂直
5.單項選擇題位錯纏結(jié)的多邊化發(fā)生在形變合金加熱的（）階段。
A.回復(fù)
B.再結(jié)晶
C.晶粒長大